[發明專利]蝕刻裝置、浸潤槽及蝕刻方法

有效

• 申請號: 200710100965.8
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN101136309A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 陳立銳;傅中其;張慶裕;梁輔杰;許林弘;陳俊光;高蔡勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 邢雪紅

1.一種蝕刻裝置，包括：

一成像鏡片模塊；

一基板平臺，位于該成像鏡片模塊下方，用于握持一基板；

一流體保存模塊，用于限制流體于介于成像鏡片模塊與位于該基板平臺上的一基板間的一空間處；以及

一加熱元件，整合于該流體儲存模塊內，且鄰近于上述空間處，其中該加熱元件包括：

一密封開口，該密封開口設置于該流體儲存模塊的一頂端部或一側壁部；

一密封物，用于密封該密封開口，以密封該流體儲存模塊內的該加熱元件，該密封物不溶于該流體；以及

該加熱元件的多個部份，可局部地操作以控制溫度。

2.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該密封物的材料選擇自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料的組合所組成群組。

3.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該密封物的材料選選擇自由不銹鋼、石英、陶瓷低熱傳玻璃、鐵氟龍、塑料聚合物以及上述材料的組合所組成群組。

4.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該密封開口具有介于1～10厘米的尺寸。

5.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該加熱單元的加熱方式選擇自由線圈加熱、流體加熱、燈泡加熱或上述方式的組合所組成群組。

6.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該加熱元件具有少于該流體保存模塊徑長寬度1/15的一壁厚度。

7.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，該加熱元件包括位于該流體保存模塊內的多個加熱部。

8.如權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，加熱元件的形狀選擇自由圓形、彎曲形、直線形、弧形及上述形狀組合所組成的群組。

9.一種浸潤槽，適用于一浸潤型蝕刻裝置，包括：

一流體保存模塊，以供應用于該浸潤型蝕刻工藝的一流體；以及

一加熱元件，整合于該流體保存模塊內，其中該加熱元件包括：

一密封開口，該密封開口設置于該流體儲存模塊的一頂端部或一側壁部；

一密封物，用于密封該密封開口，以密封該流體儲存模塊內的該加熱元件，該密封物不溶于該流體；以及

一非均勻溫度補償裝置，整合于該加熱元件上。

10.如權利要求9所述的浸潤槽，其特征在于，該流體儲存模塊包括分別設置于該流體儲存模塊的一底部的一第一流體供應單元以及一第二流體供應單元，以分別供應一第一流體與一第二流體。

11.如權利要求10所述的浸潤槽，其特征在于，該第一流體包括一浸潤流體。

12.如權利要求10所述的浸潤槽，其特征在于，該第二流體包括空氣。

13.如權利要求9所述的浸潤槽，其特征在于，該密封物的材料選擇自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料組合物所組成的群組。

14.如權利要求9所述的浸潤槽，其特征在于，該加熱單元的加熱方式選擇自由線圈加熱、流體加熱、照射源加熱或上述加熱方式組合所組成的群組。

15.一種蝕刻方法，包括下列步驟：

提供一蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括整合在一起的一流體保存模塊與一加熱元件；

通入一浸潤流體至位于一成像鏡片模塊與欲圖案化的一基板間的一空間處；

通過控制該加熱元件以加熱該浸潤流體與該基板；以及

對該基板施行一曝光程序并通過該浸潤流體。

16.如權利要求15所述的蝕刻方法，其特征在于，該加熱元件選擇自下列群組之一：

為不溶于該浸潤流體的一密封物而密封于該流體保存模塊內的該加熱元件；

為設置于該流體保存模塊內的一頂部及側部的一密封開口所密封的該加熱元件；以及

具有多個用于局部溫度控制的加熱部的該加熱元件。