[發(fā)明專利]圖像感應(yīng)元件及其系統(tǒng)芯片半導體結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710100964.3 | 申請日: | 2007-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN101159278A | 公開(公告)日: | 2008-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 喻中一;蔡嘉雄;傅士奇 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像 感應(yīng) 元件 及其 系統(tǒng) 芯片 半導體 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種固態(tài)圖像元件,特別有關(guān)于一種具有微透鏡的圖像感應(yīng)元件,適用于邏輯嵌入芯片或系統(tǒng)芯片。
背景技術(shù)
固態(tài)圖像元件通常包含在基底內(nèi)或基底上的光感應(yīng)器,在感光元件上方的彩色濾光片,以及在彩色濾光片上方的微透鏡陣列。其中光感應(yīng)器例如為光電二極管、互補式金屬氧化物半導體晶體管(CMOS)感應(yīng)器或電荷耦合元件(CCD),最常見的則是N+型光感應(yīng)器(NPS’s)。在光感應(yīng)器和彩色濾光片之間通常有相對較厚的金屬層間介電質(zhì)(IMD),其可容納固態(tài)圖像元件周邊電路的多層互連線。
圖像元件的靈敏度(即,到達光感應(yīng)器的光線量)要越大越好。圖像元件的缺點之一為光感應(yīng)器的靈敏度與填充因子成比例,填充因子的定義為光感應(yīng)器與像素區(qū)面積的比率。厚的金屬層間介電質(zhì)會使得透鏡和光感應(yīng)器難以對準,并且很難保證通過透鏡的光線會到達光感應(yīng)器。隨著IMD厚度的增加,直接到達光感應(yīng)器的光線量也會減少。此外,在IMD內(nèi)的互連線金屬可能會反射入射光,進而降低光信號以及光感應(yīng)器的靈敏度。
圖1A為現(xiàn)有的固態(tài)圖像感應(yīng)元件20,其包含依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在基底24內(nèi)形成的光感應(yīng)器22。此外,圖像感應(yīng)元件20還包含具有多層金屬互連線32的IMD層26,金屬線32的位置在光感應(yīng)器22之間,以保留光線28到達光感應(yīng)器22的光路徑。保護層30位于互連線結(jié)構(gòu)34上,保護層30可包含氮化硅薄層以及另一個介電層,其可由高密度等離子體化學氣相沉積法形成。圖像感應(yīng)元件還包含平坦層(plain?layer)35、彩色濾光片36、微間隙層(microspacer)37以及對準光感應(yīng)器22上方的最上層微透鏡38。選擇性的涂層39覆蓋在最上層微透鏡38上,可由適當?shù)牟牧闲纬桑绫┧狨?acrylate)、丙烯酸甲酯(methacrylate)、環(huán)氧丙烯酸酯(epoxy-acrylate)或聚亞酰胺(polyimide),其厚度例如為0.3-3.0μm。平坦層35的折射率可為1.4-1.7,其可由丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、環(huán)氧丙烯酸酯或聚亞酰胺組成,且其厚度可為0.3-3.0μm。微間隙層37的折射率可為1.4-1.7,其可由丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、環(huán)氧丙烯酸酯或聚亞酰胺組成,且其厚度可為0.3-3.0μm。彩色濾光片36的折射率可為1.4-1.7,其可由丙烯酸酯、丙烯酸甲酯或環(huán)氧丙烯酸酯組成,且其厚度可為0.3-2.5μm。互連線結(jié)構(gòu)34的厚度40必須可容納多層的金屬互連線32,并使得最上層微透鏡38與其對應(yīng)的光感應(yīng)器22相隔一段距離,因此可能會減少光線28到達光感應(yīng)器22的量。
圖1B為圖1A的互連線結(jié)構(gòu)34的放大圖,銅是目前用來作為金屬線32的材料,其通常需要阻擋層,當使用銅鑲嵌或雙鑲嵌法形成金屬線32時,通常需要使用阻擋層42以阻擋銅擴散。目前優(yōu)選為使用低介電常數(shù)材料作為IMD層26和阻擋層42,并且也可用在蝕刻停止層。如圖1B所示,傳統(tǒng)的阻擋層42太厚,且部分的光(例如圖1B中的光線28)會被阻擋層42反射,隨著新型芯片的發(fā)展(例如系統(tǒng)芯片或系統(tǒng)級芯片(SoC)結(jié)構(gòu)、邏輯嵌入或邏輯電路與圖像感應(yīng)元件在相同的芯片上),金屬線32的數(shù)目與層數(shù)也隨之增加,因此使光線28具有足夠的能量到達光感應(yīng)器22的能力已經(jīng)無法與目前制造圖像感應(yīng)元件的設(shè)計相容。此外,當感應(yīng)器和微透鏡持續(xù)縮小,以增加每一個芯片上像素的數(shù)量時(對特定尺寸的芯片增加其分辨率),這些問題會變得更明顯(因為光感應(yīng)區(qū)22也隨著縮小)。
因此,業(yè)界亟需一種改進結(jié)構(gòu)的圖像感應(yīng)元件,其可以通過讓更多的光被光感應(yīng)器接收,而增加圖像元件的靈敏度。此外,圖像感應(yīng)元件需要改進結(jié)構(gòu),使其可以與更厚的互連線結(jié)構(gòu)(更多的金屬層)相容,以及與縮小的像素區(qū)(每平方厘米較多的像素量)相容。同時希望改進結(jié)構(gòu)的圖像感應(yīng)元件不要與目前的制造方法以及目前的設(shè)計結(jié)構(gòu)相差太遠,以避免增加額外的成本。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種圖像感應(yīng)元件,其包含基底、互連線結(jié)構(gòu)以及至少一個金屬層間介電(IMD)層微透鏡。基底內(nèi)以及/或上具有光感應(yīng)區(qū),基底上方有互連線結(jié)構(gòu),其包含多條金屬線設(shè)置于多個金屬層間介電(IMD)層內(nèi)。至少一個IMD層微透鏡設(shè)于至少一IMD層內(nèi),并位于光感應(yīng)區(qū)上方。在IMD層之間優(yōu)選設(shè)置阻擋層,除了在IMD層微透鏡的位置之外,該阻擋層在光感應(yīng)區(qū)上方的厚度優(yōu)選為100埃或100埃以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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