[發明專利]圖像感應元件及其系統芯片半導體結構

有效

• 申請號: 200710100964.3
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN101159278A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 喻中一;蔡嘉雄;傅士奇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種圖像感應元件，包括：

基底，具有光感應區；

互連線結構，設置于該基底上方，該互連線結構包含多條金屬線設于多個金屬層間介電層內；以及

至少一個金屬層間介電層微透鏡，設于至少一金屬層間介電層內，且位于該光感應區上方。

2.如權利要求1所述的圖像感應元件，還包括阻擋層，設置于所述金屬層間介電層之間，該阻擋層的凈厚度為100?；?00埃以下。

3.如權利要求1所述的圖像感應元件，其中該金屬層間介電層微透鏡的折射率大于其所在的金屬層間介電層的折射率。

4.如權利要求2所述的圖像感應元件，其中該阻擋層包括與該金屬層間介電層微透鏡不同的材料。

5.如權利要求2所述的圖像感應元件，其中該金屬層間介電層微透鏡與該阻擋層由相同材料以及相同的初始層所形成。

6.如權利要求1所述的圖像感應元件，其中該金屬層間介電層微透鏡的材料包括金屬氧化物、氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯、含氮材料、含碳材料或前述的組合。

7.如權利要求2所述的圖像感應元件，其中該阻擋層的材料包括金屬氧化物、氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯、含氮材料、含碳材料或前述的組合。

8.如權利要求1所述的圖像感應元件，還包括彩色濾光片，設置于該光感應區上方，該金屬層間介電層微透鏡位于該光感應區與該彩色濾光片之間。

9.如權利要求1所述的圖像感應元件，還包括上層微透鏡，設置于該光感應區上方，且其在該互連線結構之上。

10.如權利要求9所述的圖像感應元件，還包括彩色濾光片，設置于該光感應區上方，且其位于該上層微透鏡和該金屬層間介電層微透鏡之間。

11.一種系統芯片半導體結構，包括如權利要求1所述的圖像感應元件；以及邏輯電路，電耦接至該圖像感應元件的至少一部分。

12.一種圖像感應元件，包括：

基底，具有光感應區在其內和/或其上；

互連線結構，設置于該基底上方，該互連線結構包含多條金屬線設于多個金屬層間介電層內，其中至少部分金屬線包含銅；

上層微透鏡，設置于該光感應區上方，且在該互連線結構之上；以及

覆蓋層，設置于該包含銅的金屬線上。

13.如權利要求12所述的圖像感應元件，還包括至少一個金屬層間介電層微透鏡，設于該金屬層間介電層內且位于該光感應區上方，該金屬層間介電層微透鏡的材料包括介電層材料、金屬氧化物、氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯、含氮材料、含碳材料、含氧材料或前述的組合。

14.如權利要求12所述的圖像感應元件，還包括阻擋層，設置于所述金屬層間介電層之間，且位于該光感應區上方。

15.如權利要求13所述的圖像感應元件，還包括阻擋層，設置于所述金屬層間介電層之間，且位于該光感應區上方，除了在該金屬層間介電層微透鏡的位置之外，該阻擋層在該光感應區上方的凈厚度為100埃或100埃以下。