[發明專利]一種薄膜晶體管結構及其制備方法

有效

• 申請號: 200710100342.0
• 申請日: 2007-06-08
• 公開（公告）號: CN101320737A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 薛建設;林承武;梁珂
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1、一種薄膜晶體管結構，包括：基板，形成在所述基板上的柵極、柵絕緣層、半導體層、摻雜半導體層、源漏電極、鈍化層和像素電極，其中像素電極同源漏電極的漏極端相連接，其特征在于：在所述摻雜半導體層上部及所述源漏電極的下方設置有SiNx或者SiOxNy層；所述SiNx或者SiOxNy層的厚度為8-15nm。

2、根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于：所述源漏電極的材料為鋁合金，包括兩元鋁合金和多元鋁合金。

3、一種薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1，提供一基板，在所述基板上利用磁控濺射的方法沉積一層金屬薄膜，利用光刻和刻蝕的方法制備形成柵電極圖形；

步驟2，在完成步驟1的基板上利用化學氣相沉積法依次沉積柵絕緣層、半導體層和摻雜半導體層；

步驟3，在完成步驟2的基板上利用化學氣相沉積法沉積一薄層SiNx或者SiOxNy層，所述SiNx或者SiOxNy層的沉積厚度為8-15nm，利用光刻和干法刻蝕的工藝形成導電的溝道；

步驟4，在完成步驟3的基板上利用磁控濺射的方法形成一層源漏金屬層，利用光刻和刻蝕的方法形成源漏電極，形成的該源漏電極分別通過所述步驟3中形成的SiNx層或者SiOxNy，與所述摻雜半導體層形成接觸；

步驟5，在完成步驟4的基板上利用化學氣相沉積法形成一層鈍化層，利用光刻和刻蝕的工藝制備出所述溝道的保護層，并同時在保護層上刻蝕形成過孔；

步驟6，在完成步驟4的基板上利用磁控濺射的方法沉積透明像素電極薄膜，利用光刻和刻蝕工藝形成像素電極圖形，同時使像素電極通過所述過孔和所述源漏電極的漏極端連接。

4、根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述步驟4中形成一層源漏金屬層具體為形成一層鋁合金金屬層。

5、一種薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1，提供一基板，在所述基板上利用磁控濺射的方法沉積一層金屬薄膜，利用光刻和刻蝕的方法制備形成柵電極圖形；

步驟2，在完成步驟1的基板上利用化學氣相沉積法依次沉積柵絕緣層，半導體層和摻雜半導體層；

步驟3，在完成步驟2的基板上利用化學氣相沉積法沉積一薄層SiNx或者SiOxNy層，所述SiNx或者SiOxNy層的沉積厚度為8-15nm，利用光刻和干法刻蝕的工藝形成硅島；

步驟4，在完成步驟3的基板上利用磁控濺射的方法沉積透明像素電極薄膜，利用光刻和刻蝕工藝形成像素電極圖形；

步驟5，在完成步驟4的基板上利用磁控濺射的方法在以上圖形上沉積一層源漏金屬層，利用光刻和刻蝕的方法形成源漏電極，形成的源漏電極分別通過所述步驟3中形成的SiNx層或者SiOxNy，與摻雜半導體層形成接觸，同時又和所述像素電極形成電連接；對摻雜半導體層進行刻蝕形成導電溝道。

步驟6，在完成步驟5的基板上利用化學氣相沉積法形成一層鈍化層，利用光刻和刻蝕的工藝制備出所述溝道的保護層。

6、根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述步驟5中形成一層源漏金屬層具體為形成一層鋁合金金屬層。