[發明專利]三代像增強器的制作方法

無效

• 申請號: 200710098589.3
• 申請日: 2007-04-20
• 公開（公告）號: CN101055825A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 張少輝;賈欣志;田金生;辛福學;卡瑪良－俄迪科;卡瑪良－謝爾蓋
• 申請（專利權）人: 吉林東亞夜視有限公司
• 主分類號: H01J9/00
• 分類號: H01J9/00
• 代理公司: 北京同匯友專利事務所
• 代理人: 張雅軍;高云瑞

1、一種使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于：將各個工作室用惰性氣體置換空氣，當各個工作室內的大氣壓強不高于預定值后，進行像增強器的生產加工。

2、如權利要求1所述的使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：

A、將工作室中的各個超高真空室和卸載閘門室用惰性氣體置換空氣，并使所述超高真空室和卸載閘門室中的大氣壓強均不高于所述預定值；

B、將熒光屏組件送入工作室中的熒光屏組件加載閘門室，然后向該閘門室中通入惰性氣體置換空氣；當該閘門室中的大氣壓強不高于所述預定值后，打開閘門，將所述熒光屏組件送入與該閘門室相鄰的超高真空室進行密閉除氣和電子轟擊清洗處理；然后將所述熒光屏組件送入組裝真空室；

C、將光電陰極組件送入工作室中的光電陰極組件加載閘門室，然后向該閘門室中通入惰性氣體置換空氣；當該閘門室中的大氣壓強不高于所述預定值后，打開閘門，將所述光電陰極組件送入與該閘門室相鄰的超高真空室進行密閉預除氣處理，然后將光電陰極組件送入相臨的超高真空室進行批量最終清洗和敏化處理形成光電陰極，最后將所述光電陰極送入所述組裝真空室；

D、將所述組裝真空室中的熒光屏組件和光電陰極進行組裝處理后送入密封超高真空室，進行批量密封焊接處理，形成真空管；

E、將所述真空管送入卸載閘門室，并從該閘門室批量卸載。

3、如權利要求1或2所述的使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于，所述工作室內的大氣壓強預定值為10^-8帕斯卡。

4、如權利要求2所述的使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于，所述步驟B和步驟C同步進行。

5、如權利要求3所述的使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于，所述步驟B和步驟C不同步進行。

6、如權利要求1或2所述的使用砷化鎵光電陰極的三代像增強器的制作方法，其特征在于，所述惰性氣體包括：氬氣或氦氣。