[發明專利]一種嵌壁式淺槽隔離結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200710098209.6
• 申請日: 2007-04-13
• 公開（公告）號: CN101286511A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 黃清俊;李召兵;熊偉;陳建維
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/762
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 曹桂珍

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，特別是一種嵌壁式淺槽隔離結構及其形成方法。

背景技術

在目前的亞微高壓進程技術中，淺槽隔離技術用于高壓裝置之間的隔離，但是當高壓裝置采用較厚的柵極氧化物時，為了保持低壓不漏電，往往會維持一段固定梯級高度，以至于在槽邊緣處產生嚴重的問題。需要一種新的隔離結構，不僅可以改善高壓裝置柵極氧化物薄化的問題，還可以使低壓區域保持正常的梯級高度。

發明內容

由于現有技術的上述缺陷，目前迫切需要一種不會再槽的邊緣處產生薄化問題的結構和方法。

鑒于上述目的，本發明首先提供了一種嵌壁式淺槽隔離結構，該結構包括基底，基底內帶有槽，槽中由線性氧化層和淺槽隔離氧化物依次順序填充，該結構分為高壓區域和低壓區域，在上述高壓區域中生長高壓柵氧化物區，在高壓柵氧化物生長的主動區域邊緣的淺槽隔離氧化物內形成有槽狀結構。

其中，上述槽狀結構的位置和形狀由不同位置涂敷的光阻定義。

本發明還提供了一種形成嵌壁式淺槽隔離結構的方法，包括以下步驟：

步驟1，通過光阻來定義需要的槽的形狀；

步驟2，蝕刻由基底，墊氧化層和硬罩幕組成的結構，從而依次形成槽；

步驟3，在嵌壁式淺槽隔離結構的槽內形成線性氧化物；

步驟4，在嵌壁式淺槽隔離結構再填充氧化物；

步驟5，通過化學機械拋光移除槽外的氧化物；

步驟6，通過干蝕刻回蝕該結構；

步驟7，定義高壓區域并對該高壓區域的淺槽隔離氧化物區域進行干蝕刻，在高壓裝置主動區域的邊緣形成槽；

步驟8，去除該結構的硬罩幕和墊氧化層。

其中，在去除該結構的硬罩幕和墊氧化層后，再埋置源極和漏極。其中，上述硬罩幕的材料為氮化硅。

本發明的有益效果為可有效的改善高壓柵氧化物薄化問題，并能同時確保低壓區域保持正常的階梯高度，還可以提供高壓柵氧化物的可靠性，減輕寄生晶體管問題。該方法還可用于未來深亞微高壓進程的開發與應用。

附圖說明

圖1是本發明一較佳實施例的晶片基底的示意圖。

圖2是本發明一較佳實施例的加墊層的晶片基底的示意圖。

圖3是本發明一較佳實施例的沉積硬罩幕的示意圖。

圖4是本發明一較佳實施例的蝕刻出槽的示意圖。

圖5是本發明一較佳實施例的形成線性氧化物的示意圖。

圖6是本發明一較佳實施例的在填充氧化物的示意圖。

圖7是本發明一較佳實施例的化學機械拋光的示意圖。

圖8是本發明一較佳實施例的通過干蝕刻回蝕槽中的氧化物的示意圖。

圖9是本發明一較佳實施例的通過光罩定義高壓柵極氧化物生長的區域的示意圖。

圖10是本發明一較佳實施例的形成高壓裝置主動區邊緣的槽結構的示意圖。

圖11是本發明一較佳實施例的去除光阻的示意圖。

圖12是本發明一較佳實施例的去除硬罩幕和墊氧化層的示意圖。

圖13是本發明一較佳實施例的埋置源極和漏極的示意圖。

圖14是本發明一較佳實施例的改善淺槽隔離高壓柵氧化物的薄化的方法的流程圖。

具體實施方式

本發明一較佳實施例的改善淺槽隔離高壓柵氧化物的薄化結構及其形成方法如圖所示。