[發明專利]一種嵌壁式淺槽隔離結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200710098209.6
• 申請日: 2007-04-13
• 公開（公告）號: CN101286511A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 黃清俊;李召兵;熊偉;陳建維
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/762
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 曹桂珍

1.?一種嵌壁式淺槽隔離結構，該結構包括基底，基底內帶有槽，槽中由線性氧化層和淺槽隔離氧化物依次順序填充，該結構分為高壓區域和低壓區域，其特征是在上述高壓區域中生長高壓柵氧化物，在高壓柵氧化物生長的主動區域邊緣的淺槽隔離氧化物內形成有槽狀結構。

2.?根據權利要求1所述的結構，其特征是上述槽狀結構的位置和形狀由不同位置涂敷的光阻定義。

3.?一種形成嵌壁式淺槽隔離結構的方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1，通過光阻來定義需要的槽的形狀；

步驟2，蝕刻由基底，墊氧化層和硬罩幕組成的結構，從而依次形成槽；

步驟3，在嵌壁式淺槽隔離結構的槽內形成線性氧化物；

步驟4，在嵌壁式淺槽隔離結構再填充氧化物；

步驟5，通過化學機械拋光移除槽外的氧化物；

步驟6，通過干蝕刻回蝕該結構；

步驟7，定義高壓區域并對該高壓區域的淺槽隔離氧化物區域進行干蝕刻，在高壓裝置主動區域的邊緣形成槽；

步驟8，去除該結構的硬罩幕和墊氧化層。

4.?根據權利要求3所述的方法，其特征是在去除該結構的硬罩幕和墊氧化層后，再埋置源極和漏極。

5.?根據權利要求3所述的方法，其特征是上述硬罩幕的材料為氮化硅。

6.?根據權利要求3-5中任一項所述的方法，其特征是在步驟7中采用光阻定義整個高壓區域，或采用光阻定義需要生長較厚的柵氧化物的主動區域及其邊緣的隔離區。