[發明專利]半導體器件的制造方法和制造裝置

有效

• 申請號: 200710097902.1
• 申請日: 2007-04-18
• 公開（公告）號: CN101079383A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 村木真治
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 雒運樸;徐謙

技術領域

本發明涉及半導體器件、特別是具有W-CSP(Wafer?Level?Chip?SizePackage)構造的半導體器件的制造方法、以及適用于該制造方法的制造裝置、特別是密封裝置。?

背景技術

一般把與從半導體晶片裁切出的半導體芯片同等尺寸的封裝體(package)稱為CSP(Chip?Size?Package)。另外，把在半導體晶片狀態下對形成在半導體晶片上的半導體芯片直接進行封裝的CSP稱為W-CSP。?

關于W-CSP的制造方法中的密封工序，公知的有使用模具的樹脂密封工序。?

已知有一種半導體器件的制造方法，能夠用由第1模具和第2模具構成的分模模具對形成了半導體元件的襯底，一邊對襯底面提供均勻的成型壓力，一邊進行樹脂密封(例如參照專利文獻1。)。?

該專利文獻所公開的密封工序，具體包括以下工序。?

即、包括：襯底配置工序，將襯底配置于第1模具；樹脂提供工序，向襯底上提供密封用的樹脂；以及樹脂層形成工序，在使第1模具的加壓面與第2模具的加壓面靠近來對樹脂施加成型壓力時，進行加壓，以使樹脂逐漸向外方流動，而由樹脂將襯底密封。?

專利文獻1：日本特開2001-185568號公報?

但是，在上述那樣的使用模具的W-CSP的密封工序中，例如，在包括在放置于下模上的半導體晶片上直接放置樹脂的工序的情況下，該樹脂有可能使形成在晶片上的柱狀電極發生變形。?

另外，模具內容易產生空氣的滯留，由此可能會產生氣泡。產生該氣泡的結果，有時會導致所制造的半導體器件的成品率下降。?

發明內容

因此，本發明的目的是，提供一種可防止柱狀電極的變形，并能夠以簡易的工序有效地防止密封部產生氣泡的半導體器件的制造方法，特別是W-CSP的制造方法以及用于實施該制造方法的裝置。?

本發明的半導體器件的制造方法主要包括以下工序：?

準備密封裝置的工序，該密封裝置具有：具有襯底安裝面且位于上側的第1模具、和與該第1模具相對的第2模具；在該第2模具的與上述襯底安裝面相對的相對面上，設有朝向上述第1模具側的凸狀的層疊為階梯狀的形狀的突出部，該突出部的頂點或頂面位于與上述襯底安裝面的第1中心點相對的第2中心點，并且在該突出部的包含上述頂點的區域或上述頂面上設有樹脂配置區域，該突出部具有最大直徑的第1圓柱部、具有比該第1圓柱部小的直徑的第2圓柱部、和具有比該第2圓柱部更小的直徑的第3圓柱部，該第1圓柱部、第2圓柱部、第3圓柱部的表面面積越向上越小；?

準備半導體襯底的工序，該半導體襯底具有：第1主表面，具有芯片形成區域和包圍該芯片形成區域的周邊區域，并且設有設置在上述芯片形成區域上的二次布線層和與該二次布線層連接的柱狀電極；以及與該第1主表面相對的第2主表面；?

使上述第1主表面與上述樹脂配置區域相對，將上述半導體襯底保持于上述第1模具的工序；?

將脫模膜放置在上述第2模具上，使得其位于上述第2模具的上述樹脂配置區域上的工序；?

加熱上述第1模具和第2模具的工序；?

在上述脫模膜上放置密封樹脂材料的工序；?

使上述第1模具和上述第2模具相互接觸而合模，形成由該第1模具和第2模具構成的型腔的工序；和?

邊對上述型腔內進行減壓，邊使上述密封樹脂材料熔化后的熔化樹脂與上述第1主表面接觸來形成密封部的工序。?

另外，本發明的半導體器件的密封裝置主要具有如下的結構。?

即，該密封裝置具有：具有襯底安裝面且位于上側的第1模具、和與?該第1模具相對的第2模具；其特征在于，?

在該第2模具的與上述襯底安裝面相對的相對面上，設有朝向上述第1模具側的凸狀的層疊為階梯狀的形狀的突出部，該突出部的頂點或頂面位于與上述襯底安裝面的第1中心點相對的第2中心點，該突出部具有最大直徑的第1圓柱部、具有比該第1圓柱部小的直徑的第2圓柱部、和具有比該第2圓柱部更小的直徑的第3圓柱部，該第1圓柱部、第2圓柱部、第3圓柱部的表面面積越向上越小。?

根據本發明的半導體器件的制造方法，在對型腔進行抽真空時，由于半導體襯底被保持在上側的模具上，與密封樹脂材料分離，所以樹脂不接觸柱狀電極，從而可有效地防止密封工序中柱狀電極變形。?