[發明專利]半導體器件的制造方法和制造裝置

有效

• 申請號: 200710097902.1
• 申請日: 2007-04-18
• 公開（公告）號: CN101079383A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 村木真治
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 雒運樸;徐謙

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

準備密封裝置的工序，該密封裝置具有：具有襯底安裝面且位于上側 的第1模具、和與該第1模具相對的第2模具；在該第2模具的與上述襯 底安裝面相對的相對面上，設有朝向上述第1模具側的凸狀的層疊為階梯 狀的形狀的突出部，該突出部的頂點或頂面位于與上述襯底安裝面的第1 中心點相對的第2中心點，并且在該突出部的包含上述頂點的區域或上述 頂面上設有樹脂配置區域，該突出部具有最大直徑的第1圓柱部、具有比 該第1圓柱部小的直徑的第2圓柱部、和具有比該第2圓柱部更小的直徑 的第3圓柱部，該第1圓柱部、第2圓柱部、第3圓柱部的表面面積越向 上越小；

準備半導體襯底的工序，該半導體襯底具有：第1主表面，具有芯片 形成區域和包圍該芯片形成區域的周邊區域，并且設有設置在上述芯片形 成區域上的二次布線層和與該二次布線層連接的柱狀電極；以及與該第1 主表面相對的第2主表面；

使上述第1主表面與上述樹脂配置區域相對，將上述半導體襯底保持 于上述第1模具的工序；

將脫模膜放置在上述第2模具上，使得其位于上述第2模具的上述樹 脂配置區域上的工序；

加熱上述第1模具和第2模具的工序；

在上述脫模膜上放置密封樹脂材料的工序；

使上述第1模具和上述第2模具相互接觸而合模，形成由該第1模具 和第2模具構成的型腔的工序；和

邊對上述型腔內進行減壓，邊使上述密封樹脂材料熔化后的熔化樹脂 與上述第1主表面接觸來形成密封部的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述準備密封裝置的工序，是準備如下的密封裝置的工序：該密封裝 置的上述第2模具的上述突出部，構成為以上述第2中心點為同心的多個 圓柱部以越向上層其表面面積越小的方式層疊為階梯狀的形狀；并且最上 層的圓柱部的表面為上述樹脂配置區域。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述準備密封裝置的工序，是準備如下的密封裝置的工序：該密封裝 置的上述第2模具的上述突出部，構成為以上述第2中心點為同心的頂面 為相似形的多個四棱柱部以越向上層該頂面的面積越小的方式層疊為階 梯狀的形狀；并且最上層的上述四棱柱部的表面為上述樹脂配置區域。

4.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

準備密封裝置的工序，該密封裝置具有：具有襯底安裝面且位于上側 的第1模具、和與該第1模具相對的第2模具；在該第2模具的與上述襯 底安裝面相對的相對面上，設有朝向上述第1模具側的凸狀的突出部，該 突出部的頂點位于與上述襯底安裝面的第1中心點相對的第2中心點，該 突出部具有傾斜，且該突出部的高度沿上述第2模具的邊緣的整個方向逐 漸降低，在該突出部的包含上述頂點的區域上設有樹脂配置區域，

準備半導體襯底的工序，該半導體襯底具有：第1主表面，具有芯片 形成區域和包圍該芯片形成區域的周邊區域，并且設有設置在上述芯片形 成區域上的二次布線層和與該二次布線層連接的柱狀電極；以及與該第1 主表面相對的第2主表面；

使上述第1主表面與上述樹脂配置區域相對，將上述半導體襯底保持 于上述第1模具的工序；

將脫模膜放置在上述第2模具上，使得其位于上述第2模具的上述樹 脂配置區域上的工序；

加熱上述第1模具和第2模具的工序；

在上述脫模膜上放置密封樹脂材料的工序；

使上述第1模具和上述第2模具相互接觸而合模，形成由該第1模具 和第2模具構成的型腔的工序；和

邊對上述型腔內進行減壓，邊使上述密封樹脂材料熔化后的熔化樹脂 與上述第1主表面接觸來形成密封部的工序，

上述準備密封裝置的工序，是準備如下的密封裝置的工序：該密封裝 置的上述第2模具的上述突出部由上述頂點位于上述第2中心點的曲面形 成，上述樹脂配置區域位于該頂點。