[發明專利]上拉裝置有效
| 申請號: | 200710097632.4 | 申請日: | 2007-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN101064506A | 公開(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發明(設計)人: | 黃超圣 | 申請(專利權)人: | 威盛電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種上拉裝置,耦接于一輸出入端點以及一核心電路之間,其特征在于,該上拉裝置包括:
一第一晶體管,該第一晶體管的漏極耦接至該核心電路,該第一晶體管的源極接收一電壓源;
一調整單元,耦接至該輸出入端點,根據該輸出入端點的電壓輸出一調整信號;以及
一第二晶體管,該第二晶體管的源極接收該調整信號,該第二晶體管的柵極接收該電壓源,該第二晶體管的漏極耦接至該第一晶體管的柵極;
一電阻,耦接于該第二晶體管的漏極與地之間。
2.根據權利要求1所述的上拉裝置,其特征在于,該第一晶體管以及該第二晶體管分別為一PMOS晶體管。
3.根據權利要求1所述的上拉裝置,其特征在于,當該輸出入端點的電壓介于一低電壓以及該電壓源的電壓之間時,使得該調整信號的電壓等于該電壓源的電壓。
4.根據權利要求3所述的上拉裝置,其特征在于,使得該第二晶體管關閉,該核心電路接收由該輸出入端點輸入的電壓。
5.根據權利要求1所述的上拉裝置,其特征在于,當該輸出入端點的電壓介于該電壓源的電壓以及一高電壓時,使得該調整信號的電壓相等于該輸出入端點的電壓。
6.根據權利要求5所述的上拉裝置,其特征在于,使得該第二晶體管導通,使得該第一晶體管截止,該第一晶體管的柵極和漏極的電位差為0V。
7.根據權利要求1所述的上拉裝置,其特征在于,該調整單元為一浮動N型阱。
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