[發(fā)明專利]間隙壁的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710096918.0 | 申請日： | 2007-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN101290885A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 韋國樑 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 間隙 制造 方法 | ||
1.一種間隙壁的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：
提供一基底，該基底上已形成有一突起結構；
在該基底上形成一介電材料，覆蓋住該突起結構；
在該介電材料上形成一聚合物層，該聚合物層與該介電材料具有不同的蝕刻選擇比；以及
進行一單一蝕刻工藝，包括：
移除部分該聚合物層，形成一聚合間隙壁；及
以該聚合間隙壁為掩模，圖案化該介電材料以形成一L型間隙壁。
2.根據權利要求1所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的聚合物層的形成方法包括一介電解析增進涂布技術。
3.根據權利要求1所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的在圖案化該介電材料的步驟中，更包括一并移除部分該聚合間隙壁。
4.根據權利要求1所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其更包括在形成該L型間隙壁之后，移除剩余的該聚合間隙壁。
5.根據權利要求4所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的移除剩余的該聚合間隙壁的方法包括干式剝除光致抗蝕劑法與濕式剝除光致抗蝕劑法。
6.根據權利要求1所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的介電材料的材質包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
7.根據權利要求1所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的突起結構包括一柵極結構。
8.一種間隙壁的制造方法，其特征在于其包括：
提供一基底，該基底上已形成有一突起結構；
在該基底上形成一介電材料，覆蓋住該突起結構；
以介電解析增進涂布技術在該基底上形成一保護層，該保護層與該介電材料具有不同的蝕刻選擇比；以及
進行一單一蝕刻工藝，包括：
移除部分該保護層而形成一保護間隙壁；及
以該保護間隙壁為掩模，圖案化該介電材料以形成一間隙壁。
9.根據權利要求8所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的保護層包括一聚合物層。
10.根據權利要求9所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的聚合物層的材質包括碳氫氟化物。
11.根據權利要求8所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的間隙壁的剖面成一L型。
12.根據權利要求8所述的間隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的在圖案化該介電材料的步驟中，更包括一并移除部分該聚合間隙壁。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
