[發(fā)明專利]鐘控反相器、“與非”門、“或非”門和移位寄存器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710096896.8
• 申請日: 2003-09-25
• 公開（公告）號: CN101060323A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 納光明;安西彩
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K19/096;G11C19/00;G11C19/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永

1.一種移位寄存器，包括：

包括串聯的第一晶體管和第二晶體管的第一補償電路；

包括串聯的第三晶體管和第四晶體管的第一鐘控反相器，其中，所述第三晶體管的柵極連接到所述第一和第二晶體管的漏極；

包括彼此串聯的第五、第六、第七和第八晶體管的第二鐘控反相器；

第一反相器，所述第一反相器的輸入端連接到所述第三、第四、第六和第七晶體管的漏極，并且所述第一反相器的輸出端連接到所述第六和第七晶體管的柵極；

包括串聯的第九晶體管和第十晶體管的第二補償電路，其中所述第四晶體管的柵極連接到所述第九和第十晶體管的漏極；以及

第二反相器和與所述第二反相器串聯的第三反相器，其中所述第二反相器的輸入端連接到所述第九與第十晶體管的柵極，并且其中所述第三反相器的輸出端連接到所述第一與第二晶體管的柵極；

其中：

所述第二、第三與第五晶體管的源極連接到第一電源；

所述第四、第八與第十晶體管的源極連接到第二電源；

在第(n-1)級生成的第一信號輸入到第九與第十晶體管的柵極以及設置在第n級的所述第二反相器的輸入端；

在第(n-2)級生成的第二信號輸入到設置在第n級的所述第九晶體管的源極；

第三信號CK輸入到所述第一晶體管的源極與所述第八晶體管的柵極；

第四信號CKB輸入到所述第五晶體管的柵極；以及

第五信號從所述第一反相器的輸出端以及所述第六與第七晶體管的柵極輸出；以及

所述第二、第三、第五、第六和第九晶體管是P型晶體管，而所述第一、第四、第七、第八和第十晶體管是N型晶體管。

2.一種移位寄存器，包括：

包括串聯的第一晶體管和第二晶體管的第一補償電路；

包括串聯的第三晶體管和第四晶體管的第一鐘控反相器，其中，所述第三晶體管的柵極連接到所述第一和第二晶體管的漏極；

包括彼此串聯的第五、第六、第七和第八晶體管的第二鐘控反相器；

第一反相器，所述第一反相器的輸入端連接到所述第三、第四、第六和第七晶體管的漏極，并且所述第一反相器的輸出端連接到所述第六和第七晶體管的柵極；

包括串聯的第九晶體管和第十晶體管的第二補償電路，其中所述第四晶體管的柵極連接到所述第九和第十晶體管的漏極；以及

第二反相器和與所述第二反相器串聯的第三反相器，其中所述第二反相器的輸入端連接到所述第一與第二晶體管的柵極，并且其中所述第三反相器的輸出端連接到所述第九與第十晶體管的柵極；

其中：

所述第二、第三與第八晶體管的源極連接到第一電源；

所述第四、第五與第十晶體管的源極連接到第二電源；

在第(n-1)級生成的第一信號輸入到第一與第二晶體管的柵極以及設置在第n級的所述第二反相器的輸入端；

在第(n-2)級生成的第二信號輸入到設置在第n級的所述第一晶體管的源極；

第三信號CK輸入到所述第九晶體管的源極與所述第五晶體管的柵極；

第四信號CKB輸入到所述第八晶體管的柵極；以及

第五信號從所述第一反相器的輸出端以及所述第六與第七晶體管的柵極輸出；以及

所述第二、第三、第五、第六和第九晶體管是P型晶體管，而所述第一、第四、第七、第八和第十晶體管是N型晶體管。

3.如權利要求1或2所述的移位寄存器，其中所述第一電源是高電位電源，并且其中所述第二電源是低電位電源。