[發(fā)明專利]涂敷顯影裝置、基板處理方法以及記錄介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710096608.9 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101055835A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松岡伸明;林田安;林伸一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/027;H01L21/66;G03F7/00;G02F1/133 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 溫大鵬 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯影 裝置 處理 方法 以及 記錄 介質(zhì) | ||
1.一種涂敷、顯影裝置,具有:
處理模塊,包括將涂敷膜形成在基板上的多個(gè)涂敷膜形成部、和對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的顯影處理部;
載體模塊,具有將應(yīng)形成涂敷膜的基板交給上述處理模塊、并且從上述處理模塊接收進(jìn)行了上述顯影處理的基板的載體模塊用搬送機(jī)構(gòu);
接口模塊,從上述處理模塊接收形成有上述涂敷膜的基板并交給曝光裝置、且從曝光裝置接收曝光后的基板并交給上述處理模塊,
上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部在上述處理模塊內(nèi)上下重疊地配置,
各涂敷膜形成部,具有:處理單元,該處理單元包括將涂敷液涂敷在基板上的一個(gè)以上的液處理單元以及對(duì)涂敷有涂敷液的基板進(jìn)行加熱的加熱單元;和在這些處理單元之間搬送基板的涂敷膜形成部用搬送機(jī)構(gòu),上述多個(gè)涂敷膜形成部中的至少一個(gè)具有將抗蝕劑液涂敷在基板上的液處理單元,
上述顯影處理部,具有:處理單元,該處理單元包括加熱處理曝光后的基板的加熱單元以及將顯影液涂敷在基板上的液處理單元;和在這些處理單元之間搬送基板的顯影處理部用搬送機(jī)構(gòu),
上述處理模塊,還包括:多個(gè)交接單元,配置在分別與上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部對(duì)應(yīng)的高度方向位置上,在與各交接單元所對(duì)應(yīng)的各部之間經(jīng)由該各部用的搬送機(jī)構(gòu)而進(jìn)行基板的交接;和在上述多個(gè)交接單元之間搬送基板的可升降的交接單元用搬送機(jī)構(gòu),
上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部中的至少一個(gè)還具有對(duì)由該部用的搬送機(jī)構(gòu)搬送來的基板進(jìn)行檢查的基板檢查單元.
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置,其特征在于,
具有將上述抗蝕劑液涂敷在基板上的液處理單元的涂敷膜形成部具有檢查形成有抗蝕劑膜的基板的基板檢查單元,
上述顯影處理部具有檢查顯影處理后的基板的基板檢查單元。
3.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置,其特征在于,上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部中的至少一個(gè)部用的搬送機(jī)構(gòu),在該部?jī)?nèi)的載體模塊側(cè)和接口模塊側(cè)之間延伸的通路上移動(dòng),在該搬送機(jī)構(gòu)的移動(dòng)路徑的兩側(cè)配置上述處理單元,將上述基板檢查單元配置在上述移動(dòng)路徑的至少某一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置,其特征在于,
上述多個(gè)交接單元設(shè)置在上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部的上述載體模塊側(cè),
上述載體模塊用搬送機(jī)構(gòu)在其與上述多個(gè)交接單元中的至少一個(gè)之間交接基板.
5.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置,其特征在于,上述處理模塊具有與上述多個(gè)交接單元不同的第2交接單元,該第2交接單元是配置在與上述多個(gè)涂敷膜形成部以及上述顯影處理部中的某一個(gè)部對(duì)應(yīng)的高度方向位置上的至少一個(gè)第2交接單元.
6.如權(quán)利要求5所述的涂敷、顯影裝置,其特征在于,
基板在上述處理模塊和上述載體模塊之間的交接經(jīng)由上述多個(gè)交接單元進(jìn)行,
基板在上述處理模塊和上述接口模塊之間的交接經(jīng)由上述第2交接單元進(jìn)行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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