[發明專利]半導體集成電路

無效

• 申請號: 200710096595.5
• 申請日: 2007-04-16
• 公開（公告）號: CN101060322A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 田中功
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H03K19/00
• 分類號: H03K19/00;H01L27/02;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體集成電路，具有MOS晶體管，

該半導體集成電路具備：

功能模塊，其具有多個由多個邏輯電路構成的邏輯錐；和

電位切換部，其至少與一個所述邏輯錐連接，控制所連接的邏輯錐的基板電位，

所述邏輯錐具有基板相互分離的結構，接受規定的輸入信號而動作，輸出與所述輸入信號對應的信號，

所述電位切換部構成為：根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，將所連接的邏輯錐的基板電位切換為第一基板偏壓供給電位以及比所述第一基板偏壓供給電位淺的第二基板偏壓供給電位中的任意一個。

2.一種半導體集成電路，具有MOS晶體管，

該半導體集成電路具備：

功能模塊，其具有多個由多個邏輯電路構成的邏輯錐；和

電位切換部，其至少與一個所述邏輯錐連接，控制所連接的邏輯錐的電源電位，

所述邏輯錐具有電源相互分離的結構，接受規定的輸入信號而動作，輸出與所述輸入信號對應的信號，

所述電位切換部構成為：根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，將所連接的邏輯錐的電源電位切換為第一電源電位以及比所述第一電源電位低的第二電源電位中的任意一個。

3.一種半導體集成電路，具有MOS晶體管，

該半導體集成電路具備：

功能模塊，其具有多個由多個邏輯電路構成的邏輯錐；和

電位切換部，其至少與一個所述邏輯錐連接，控制所連接的邏輯錐的基板電位以及電源電位，

所述電位切換部構成為：在控制基板電位時，根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，將所連接的邏輯錐的基板電位切換為第一基板偏壓供給電位以及比所述第一基板偏壓供給電位淺的第二基板偏壓供給電位中的任意一個；在控制電源電位時，根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，將所連接的邏輯錐的電源電位切換為第一電源電位以及比所述第一電源電位低的第二電源電位中的任意一個。

4.一種半導體集成電路，具有MOS晶體管，

該半導體集成電路具備：

功能模塊，其具有多個由多個邏輯電路構成的邏輯錐；和

電位切換部，其至少與一個所述邏輯錐連接，控制所連接的邏輯錐的背柵電壓，

所述邏輯錐具有可將背柵電壓控制為相互不同的電壓的結構，接受規定的輸入信號而動作，輸出與所述輸入信號對應的信號，

所述電位切換部構成為：根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，將所連接的邏輯錐的背柵電壓切換為第一背柵電壓以及比所述第一背柵電壓低的第二背柵電壓中的任意一個。

5.根據權利要求2或3所述的半導體集成電路，其特征在于，

還具備電平移動器，其將作為所述輸入信號而由所述邏輯錐輸出的信號變換為適當的電壓。

6.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其特征在于，

所述電位切換部具備：

開關電路，其選擇所述第一基板偏壓供給電位以及所述第二基板偏壓供給電位中的任意一個；和

開關控制電路，其根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，切換所述開關電路。

7.根據權利要求2所述的半導體集成電路，其特征在于，

所述電位切換部具備：

開關電路，其選擇所述第一電源電位以及所述第二電源電位中的任意一個；和

開關控制電路，其根據作為所述輸入信號而由任意的邏輯錐輸出的信號，切換所述開關電路。

8.根據權利要求6或7所述的半導體集成電路，其特征在于，

所述開關電路包括MOS晶體管，

所述開關電路中的MOS晶體管的柵極絕緣膜厚度，比構成所述邏輯錐的MOS晶體管的柵極絕緣膜厚度更厚。

9.根據權利要求6或7所述的半導體集成電路，其特征在于，

所述開關電路和所述開關控制電路包括MOS晶體管，

所述開關控制電路中的MOS晶體管的柵極絕緣膜厚度，比所述開關電路所包含的MOS晶體管的柵極絕緣膜厚度薄。

10.根據權利要求1～4中任意一項所述的半導體集成電路，其特征在于，所述電位切換部構成為：當所連接的邏輯錐的動作完成時，進行所述切換。