[發明專利]用于制造光盤母盤的方法和裝置,用于制造光盤的方法無效
| 申請號: | 200710096532.X | 申請日: | 2007-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN101055742A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 白鷺俊彥 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G11B7/26 | 分類號: | G11B7/26 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 杜娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 光盤 母盤 方法 裝置 | ||
1.一種制造光盤母盤的方法,包括步驟:
作為反射率測量步驟,通過將激光施加到具有無機抗蝕劑層的光盤母盤形成基片的多個半徑位置中的每一個半徑位置來測量激光的反射率,該激光具有小于無機抗蝕劑層的記錄靈敏度的非記錄激光功率;
作為控制數據生成步驟,通過使用在多個半徑位置測量的反射率和預先準備的反射率與熱感記錄靈敏度之間的相關數據,獲取光盤母盤形成基片的整個記錄區的以半徑為基礎的熱感記錄靈敏度概圖,由此生成根據光盤母盤形成基片的半徑位置指示記錄激光功率的記錄功率控制數據;
作為記錄步驟,通過將激光施加到光盤母盤形成基片,同時基于記錄功率控制數據、根據半徑位置改變記錄功率,在無機抗蝕劑層上形成曝光圖案;以及
作為顯影步驟,顯影具有記錄步驟中的曝光圖案的無機抗蝕劑層,從而制備不平圖案。
2.如權利要求1所述的制造光盤母盤的方法,其中,無機抗蝕劑層是包含過渡金屬的不完全氧化物的抗蝕劑層。
3.如權利要求1所述的制造光盤母盤的方法,其中,在反射率測量步驟中,在光盤母盤形成基片上、待形成曝光圖案的區域中的多個半徑位置中的每一個半徑位置測量反射率。
4.一種制造光盤的方法,包括步驟:
在光盤母盤形成基片上形成無機抗蝕劑層;
通過在具有無機抗蝕劑層的光盤母盤形成基片上形成不平圖案來制備光盤母盤;
制備向其轉印了光盤母盤上的不平圖案的壓模;以及
制備向其轉印了壓模上的不平圖案的光盤;
其中,光盤母盤制備過程包括下述步驟:
作為反射率測量步驟,通過將激光施加到具有無機抗蝕劑層的光盤母盤形成基片的多個半徑位置中的每一個半徑位置來測量激光的反射率,該激光具有小于無機抗蝕劑層的記錄靈敏度的非記錄激光功率;
作為控制數據生成步驟,通過使用在多個半徑位置測量的反射率和預先準備的反射率與熱感記錄靈敏度之間的相關數據,獲取光盤母盤形成基片的整個記錄區的以半徑為基礎的熱感記錄靈敏度概圖,由此生成根據光盤母盤形成基片的半徑位置指示記錄激光功率的記錄功率控制數據;
作為記錄步驟,通過將激光施加到光盤母盤形成基片,同時基于記錄功率控制數據、根據半徑位置改變記錄功率,在無機抗蝕劑層上形成曝光圖案;以及
作為顯影步驟,顯影具有記錄步驟中的曝光圖案的無機抗蝕劑層,從而制備不平圖案。
5.一種用于制造光盤母盤的裝置,包括:
激光輸出部分,其中能改變待輸出的激光的激光功率;
旋轉機構部分,用于旋轉具有無機抗蝕劑層的光盤母盤形成基片;
移動機構部分,用于移動光盤母盤形成基片的半徑位置,在所述半徑位置處將激光施加到光盤母盤形成基片;
反射光檢測部分,用于檢測在光盤母盤形成基片上反射的激光的反射光;以及
控制部分,被配置用來:允許激光輸出部分將具有小于無機抗蝕劑層的記錄靈敏度的非記錄激光功率的激光施加到多個半徑位置,并且根據在反射光檢測部分獲得的反射光量確定反射率,通過移動機構部分改變半徑位置;通過使用在多個半徑位置測量的反射率和預先準備的反射率與熱感記錄靈敏度之間的相關數據,獲取光盤母盤形成基片的整個記錄區的以半徑為基礎的熱感記錄靈敏度概圖,由此產生根據光盤母盤形成基片的半徑位置指示記錄激光功率的記錄功率控制數據;以及允許激光輸出部分執行具有記錄激光功率的激光輸出,并且基于記錄功率控制數據、根據半徑位置改變激光功率,以便在通過旋轉機構部分旋轉光盤母盤形成基片和通過移動機構部分移動半徑位置時,在無機抗蝕劑層上形成曝光圖案所述。
6.如權利要求5所述的用于制造光盤母盤的裝置,進一步包括聚焦控制機構部分,用于基于由反射光檢測部分檢測的反射光的信息,控制施加到光盤母盤形成基片上的激光的聚焦。
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