[發(fā)明專利]接觸墊以及制作接觸墊的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096170.4
• 申請(qǐng)日: 2007-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN101290897A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳炳昌;黃杰勤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/485;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制作接觸墊的方法，包含有：

提供基底，該基底中包含有至少一個(gè)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

形成第一金屬層于該基底上，作為探測(cè)區(qū)；以及

形成第二金屬層于該基底上，作為電連接區(qū)，該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料，且該第二金屬層與該第一金屬層相連接。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二金屬層包含銅。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該方法另包含有進(jìn)行凸塊工藝，以形成凸塊于該第二金屬層上。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二金屬層包含鋁。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該方法另包含有進(jìn)行引線鍵合工藝，以形成導(dǎo)線于該第二金屬層上。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該方法另包含有利用探針對(duì)該第一金屬層進(jìn)行探測(cè)步驟。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該方法另包含有形成圖案化的保護(hù)層于該第一金屬層或該第二金屬層表面以定義出該探測(cè)區(qū)及該電連接區(qū)。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該方法另包含有形成圖案化的保護(hù)層于部分該第一金屬層與該第二金屬層表面以定義出該探測(cè)區(qū)及該電連接區(qū)。

11.一種接觸墊，包含：

基底，該基底中包含有至少一個(gè)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

第一金屬層設(shè)于該基底上，作為探測(cè)區(qū)；以及

第二金屬層設(shè)于該基底上，作為電連接區(qū)，該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料，且該第一金屬層與該第二金屬層相連接。

12.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

13.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

14.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該第二金屬層包含銅。

15.如權(quán)利要求14所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含凸塊設(shè)于該第二金屬層上。

16.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該第二金屬層包含鋁。

17.如權(quán)利要求16所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含導(dǎo)線設(shè)于該第二金屬層上。

18.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含有圖案化的保護(hù)層設(shè)于該第一金屬層或該第二金屬層表面以定義出該探測(cè)區(qū)及該電連接區(qū)。

19.如權(quán)利要求11所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含有圖案化的保護(hù)層設(shè)于部分該第一金屬層及該第二金屬層表面以定義出該探測(cè)區(qū)及該電連接區(qū)。

20.一種制作接觸墊的方法，包含有：

提供基底，該基底中包含有至少一個(gè)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，且該基底上具有第一金屬層；

形成介電層于該基底及該第一金屬層上；

形成開口于該介電層中并暴露出部分該第一金屬層；

形成第二金屬層于該介電層上并填滿該開口，以形成金屬插塞電連接該第二金屬層與該第一金屬層，且該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料；

去除部分該第二金屬層；

形成保護(hù)層于該第二金屬層及部分該介電層表面；以及

去除部分該保護(hù)層并暴露出部分該第一金屬層與部分該第二金屬層，該暴露出的部分該第一金屬層為探測(cè)區(qū)，且暴露出的部分該第二金屬層為電連接區(qū)。

21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

23.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該第二金屬層包含銅。

24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該方法另包含有進(jìn)行凸塊工藝，以形成凸塊于該第二金屬層上。

25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該第二金屬層包含鋁。

26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中該方法另包含有進(jìn)行引線鍵合工藝，以形成導(dǎo)線于該第二金屬層上。