[發明專利]接觸墊以及制作接觸墊的方法

無效

• 申請號: 200710096170.4
• 申請日: 2007-04-18
• 公開（公告）號: CN101290897A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 吳炳昌;黃杰勤
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制作接觸墊的方法，包含有：

提供基底，該基底中包含有至少一個內連線結構；

形成第一金屬層于該基底上，作為探測區；以及

形成第二金屬層于該基底上，作為電連接區，該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料，且該第二金屬層與該第一金屬層相連接。

2.如權利要求1所述的方法，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

3.如權利要求1所述的方法，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

4.如權利要求1所述的方法，其中該第二金屬層包含銅。

5.如權利要求4所述的方法，其中該方法另包含有進行凸塊工藝，以形成凸塊于該第二金屬層上。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第二金屬層包含鋁。

7.如權利要求6所述的方法，其中該方法另包含有進行引線鍵合工藝，以形成導線于該第二金屬層上。

8.如權利要求1所述的方法，其中該方法另包含有利用探針對該第一金屬層進行探測步驟。

9.如權利要求1所述的方法，其中該方法另包含有形成圖案化的保護層于該第一金屬層或該第二金屬層表面以定義出該探測區及該電連接區。

10.如權利要求1所述的方法，其中該方法另包含有形成圖案化的保護層于部分該第一金屬層與該第二金屬層表面以定義出該探測區及該電連接區。

11.一種接觸墊，包含：

基底，該基底中包含有至少一個內連線結構；

第一金屬層設于該基底上，作為探測區；以及

第二金屬層設于該基底上，作為電連接區，該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料，且該第一金屬層與該第二金屬層相連接。

12.如權利要求11所述的接觸墊，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

13.如權利要求11所述的接觸墊，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

14.如權利要求11所述的接觸墊，其中該第二金屬層包含銅。

15.如權利要求14所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含凸塊設于該第二金屬層上。

16.如權利要求11所述的接觸墊，其中該第二金屬層包含鋁。

17.如權利要求16所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含導線設于該第二金屬層上。

18.如權利要求11所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含有圖案化的保護層設于該第一金屬層或該第二金屬層表面以定義出該探測區及該電連接區。

19.如權利要求11所述的接觸墊，其中該接觸墊另包含有圖案化的保護層設于部分該第一金屬層及該第二金屬層表面以定義出該探測區及該電連接區。

20.一種制作接觸墊的方法，包含有：

提供基底，該基底中包含有至少一個內連線結構，且該基底上具有第一金屬層；

形成介電層于該基底及該第一金屬層上；

形成開口于該介電層中并暴露出部分該第一金屬層；

形成第二金屬層于該介電層上并填滿該開口，以形成金屬插塞電連接該第二金屬層與該第一金屬層，且該第二金屬層與該第一金屬層為不同材料；

去除部分該第二金屬層；

形成保護層于該第二金屬層及部分該介電層表面；以及

去除部分該保護層并暴露出部分該第一金屬層與部分該第二金屬層，該暴露出的部分該第一金屬層為探測區，且暴露出的部分該第二金屬層為電連接區。

21.如權利要求20所述的方法，其中該基底包含晶片或硅覆絕緣基底。

22.如權利要求20所述的方法，其中該第一金屬層包含鋁或銅。

23.如權利要求20所述的方法，其中該第二金屬層包含銅。

24.如權利要求23所述的方法，其中該方法另包含有進行凸塊工藝，以形成凸塊于該第二金屬層上。

25.如權利要求20所述的方法，其中該第二金屬層包含鋁。

26.如權利要求25所述的方法，其中該方法另包含有進行引線鍵合工藝，以形成導線于該第二金屬層上。