[發明專利]固態成像裝置無效
| 申請號: | 200710096043.4 | 申請日: | 2007-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101055885A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 中柴康隆 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 關兆輝;陸錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
本申請基于日本專利申請No.2006-108304,其內容通過引用在此被并入本文。
技術領域
本發明涉及一種固態成像裝置,并且尤其涉及一種用于對指紋進行成像的固態成像裝置。
背景技術
在日本特開專利公開No.2004-246586(專利文件1),No.2002-33469(專利文件2),No.2000-217803(專利文件3),以及No.2002-74345(專利文件4)中,能夠找到用于對指紋進行成像的常規固態成像裝置。這些文件中披露的固態成像裝置包括接觸表面,其上放置有手指,用于拍攝放置在該接觸表面上的手指的指紋的圖像。
除了上面引用的文件以外,與本發明相關的現有技術文獻包括日本特開專利公開No.H03-244092(專利文件5),No.H11-53523(專利文件6),以及No.H10-269342(專利文件7)。
發明內容
但是,在上面的固態成像裝置中,在拍攝圖像之后,指紋的痕跡(殘留指紋)遺留在接觸表面上。這種殘留指紋用肉眼就能看到,該殘留指紋的存在會使得固態成像裝置的用戶由于擔心他/她的指紋有可能被非法獲取而感覺很不舒服。除此之外,在固態成像裝置中,與手指直接接觸的接觸表面位于半導體襯底的背面,粘在手指上的雜質經常在半導體襯墊中擴散,從而降低了在相對側面上提供的光接收部分以及MOSFET的性能。這就導致該固態成像裝置的可靠性降低。
根據本發明,提供了一種固態成像裝置,包括:半導體襯底;該半導體襯底中提供的光接收部分;與要被成像的對象接觸的接觸表面,其位于該半導體襯底的背面上;其中該接觸表面為粗糙表面;以及在該半導體襯底中,對穿過與該接觸表面接觸的要被成像的對象的光進行光電轉換,使得該光接收部分接收通過該光電轉換而產生的電荷,從而獲取要被成像的對象的圖像。
在這樣構成的固態成像裝置中,該接觸表面為粗糙表面。因此,在要被成像的對象,特別的就是手指,與該接觸表面直接接觸之后,與接觸表面很平滑的情況不同,該殘留指紋幾乎無法遺留在接觸表面上。還有,該接觸表面的粗糙表面也使得很難通過肉眼就能識別該殘留指紋,從而減輕用戶不舒服的感覺。
進一步,執行表面處理工藝,例如機械拋光,用于使得該接觸表面粗糙,由于該機械處理而招致接觸表面的變形,其中該機械處理可以帶來俘獲金屬等的非固有吸收(以下稱為,EG)效果。該EG效果可以例如防止粘在手指上的雜質擴散到半導體襯底中,以及防止因此而降低在相對側上提供的光接收部分和MOSFET的性能。因此,該粗糙表面防止了該固態成像裝置的可靠性降低。
這樣,本發明提供了一種固態成像裝置,其能夠減輕用戶不舒服的感覺。還有,進行表面處理工藝,例如機械拋光,用于使得該接觸表面光滑粗糙,其能夠防止粘在手指上的雜質擴散到半導體襯底中,以及防止因此而降低在相對側上提供的光接收部分和MOSFET的性能。
附圖說明
本發明的上述和其他目標,優點和特征將會通過下面參照附圖的說明而變得更加清晰,其中:
圖1為根據本發明實施例的固態成像裝置的橫截面圖;
圖2為用于說明接觸表面的凹陷和凸起部分的排列間距的橫截面圖;
圖3為用于說明圖1中所示的固態成像裝置的操作的橫截面圖;以及
圖4為根據該實施例的固態成像裝置的變化的橫截面圖。
具體實施方式
現在將參照說明性實施例來描述本發明。本領域內的技術人員可以認識到的是,通過使用本發明的教導可以實現許多變化實施例,并且本發明并不僅限于用于說明目的的實施例。
下文中,將參照附圖來詳細描述根據本發明的固態成像裝置的典型實施例。在附圖中,相同的構件用相同的數字表示,并且不會重復對它的說明。
圖1為根據本發明實施例的固態成像裝置的橫截面圖。該固態成像裝置1包括半導體襯底10以及光接收部分20。在該實施例中,該半導體襯底10為P型硅襯底。在該半導體襯底10的背面(與將在后面描述的互連層30相對)上提供有接觸表面S1。在該半導體襯底10中,該固態成像裝置1對穿過要被成像的對象的光進行光電轉換,其中所述要被成像的對象與接觸表面S1直接接觸,并通過該光接收部分20來接收由該光電轉換而產生的電荷,從而獲取要被成像的對象的圖像。
該接觸表面S1為粗糙表面。換句話說,該接觸表面1已經經歷過了粗糙化處理,例如無光處理或消光(mat?finishing,亞光)處理。可以通過表面處理過程例如機械拋光來進行該粗糙化過程。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





