[發明專利]固態成像裝置無效
| 申請號: | 200710096043.4 | 申請日: | 2007-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101055885A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 中柴康隆 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 關兆輝;陸錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
半導體襯底;
在所述半導體襯底中提供的光接收部分;以及
與要被成像的對象接觸的接觸表面,該接觸表面位于所述半導體襯底的背面上;
其中所述接觸表面為粗糙表面;以及
在所述半導體襯底中,對透射穿過與所述接觸表面相接觸的所述要被成像的對象的光進行光電轉換,使得所述光接收部分接收通過所述光電轉換而產生的電荷,從而獲取所述要被成像的對象的圖像。
2.根據權利要求1的固態成像裝置,
其中所述要被成像的對象為手指;
所述接觸表面具有交替排列的凹陷部分和凸起部分;以及
所述接觸表面的所述凹陷和凸起部分的平均排列間距小于所述手指的指紋的凹陷和凸起部分的平均排列間距。
3.根據權利要求2的固態成像裝置,
其中所述接觸表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列間距為所述手指的所述指紋的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列間距的1/2或更小。
4.根據權利要求2的固態成像裝置,
其中所述接觸表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列間距為500μm或更小。
5.根據權利要求2的固態成像裝置,
其中所述接觸表面的所述凸起部分的平均高度低于所述手指的所述指紋的所述凸起部分的平均高度。
6.根據權利要求2的固態成像裝置,
其中提供了多個所述光接收部分;以及
所述接觸表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列間距小于所述光接收部分的平均排列間距。
7.根據權利要求6的固態成像裝置,
其中所述光接收部分的所述平均排列間距小于所述手指的所述指紋的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列間距。
8.根據權利要求2的固態成像裝置,
其中所述接觸表面的所述凹陷和凸起部分包括由于處理而產生的變形。
9.根據權利要求1的固態成像裝置,進一步包括:
在所述半導體襯底的所述背面上提供的覆蓋層;
其中所述半導體襯底的所述背面以及所述覆蓋層的表面為粗糙表面;以及
所述接觸表面位于所述覆蓋層的所述表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





