[發明專利]高導熱電路基板的制作方法

無效

• 申請號: 200710095881.X
• 申請日: 2007-04-12
• 公開（公告）號: CN101287334A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 黃續鐔;周鐘霖
• 申請（專利權）人: 環宇真空科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K1/05;H05K1/09
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 王燕秋

技術領域

本發明與電路板表面處理技術有關，特別是關于一種高導熱電路基板的制作方法。

背景技術

如圖1所示，為國內公開號第200520670號專利案「整合性散熱基板的結構及制作方法」，其包含以下步驟：a)提供一金屬基板1；b)利用一陽極微弧技術(MicroArc?Oxidation；MAO)在金屬基板1上形成一可供熱傳導的金屬氧化物絕緣層(Al₂O₃)2；c)利用一真空鍍膜在氧化鋁絕緣層(Al₂O₃)2上以mask方式披覆一具有一預定圖案的金屬膜(Cu)3，以界定多條金屬導線并制作，制成一整合性散熱基板4。此專利的目的在于通過金屬基板1的散熱效果及金屬氧化物絕緣層2提供電性絕緣效果，再由金屬膜3進行電路布局，達到整合散熱性以及電路布局的目的。

然而，此專利是以真空鍍膜方式在金屬氧化物絕緣層2上直接形成金屬膜(Cu)3，由于金屬氧化物絕緣層2以及金屬膜(Cu)3的物理特性差異較大，例如：膨脹系數，而金屬氧化物絕緣層2與金屬膜(Cu)3屬于先高溫加工再進行低溫冷卻的加工程序，使得整合性散熱基板4容易因為應力關系造成板面翹曲的現象，特別是大尺寸的散熱基板，翹曲現象更為明顯。同時，也具有容易發生剝離的情形的缺點，也即剝離強度(Peel?Strength)較低。

另外，以電路的導電性而言，導電層的厚度至少需在13μm以上，而對一般功率較高的電路導電性來看，導電層的厚度應要在20μm以上為最佳，然而上述專利案以真空鍍膜方式形成的金屬膜(Cu)3的厚度最多約為9μm，超過9μm就會有剝離的問題產生，相比之下有導電層過薄的問題，具有導電性不佳的缺點。另外，以真空鍍膜方式形成導電膜的方式，其制成速度較慢，具有工時較長的缺點，換言之，以真空鍍膜方式形成導電膜的方式，具有導電性不佳及工時較長的缺點。

其次，此種基板為利用微弧氧化陽極處理(Micro?Arc?Oxidation；MAO)形成金屬氧化物絕緣層2，由于其所形成的Al₂O₃的結晶結構屬于重疊狀結晶而非規則性的柱狀排列，因此熱傳導率也不佳而有待改善。

綜上所述，習用散熱基板具有加工時間長且產能效率低的缺點，同時熱傳導率仍不佳而有待改進。

發明內容

針對上述問題，本發明的主要目的在于提供一種高導熱電路基板的制作方法，其具有提高制程速度的特色。

本發明的次一目的在于提供一種高導熱電路基板的制作方法，其能夠提高導電層的附著度且增加導電層的厚度，具有導電性較好的特色。

本發明的再一目的在于提供一種高導熱電路基板的制作方法，其具有傳熱效果較好的特色。

為達到上述目的，本發明所提供的一種高導熱電路基板的制作方法，其特征在于包含下列各步驟：a)提供一金屬基板；b)在所述金屬基板表面形成一絕緣層；c)在所述氧化層表面形成一中間介層；d)以電化學技術在所述中間介層表面形成一導電主層。

上述本發明的技術方案中，步驟a)中的所述金屬基板，為選自鋁、鎂、鈦以及其合金所構成族群中的其中一種。

上述本發明的技術方案中，步驟b)中的所述絕緣層，是以電化學激化陽極處理形成，利用草酸為工作溶液，預定工作電壓為260～400Volts，預定工作電流為1～6A/dm²。

上述本發明的技術方案中，步驟b)中的所述絕緣層，為所述金屬基板表面的化合物。

上述本發明的技術方案中，步驟c)的所述中間介層，按照形成順序區分為一第一介層以及一導電介層，所述第一介層介于所述絕緣層以及所述導電介層之間。

上述本發明的技術方案中，步驟c)的所述第一介層，為鎂、鋁、鈦、釩、鉻、鎳、鋯、鉬、鎢以及其化合物。

上述本發明的技術方案中，步驟c)的所述第一介層為氧化鈦。

上述本發明的技術方案中，步驟c)的所述導電介層，為選自鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑以及金其中之一。

上述本發明的技術方案中，步驟d)的所述導電主層形成于所述中間介層的導電介層表面。

上述本發明的技術方案中，步驟d)的所述導電介層的厚度在1μm以下。

上述本發明的技術方案中，步驟d)的所述導電主層，為選自鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑以及金其中之一。

上述本發明的技術方案中，步驟d)的所述導電主層的厚度在13μm以上。

上述本發明的技術方案中，步驟b)的所述絕緣層以氮化處理形成，為所述金屬的氮化物。