[發明專利]高導熱電路基板的制作方法無效
| 申請號： | 200710095881.X | 申請日： | 2007-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN101287334A | 公開（公告）日： | 2008-10-15 |
| 發明（設計）人： | 黃續鐔;周鐘霖 | 申請（專利權）人： | 環宇真空科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00;H05K1/05;H05K1/09 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 臺灣省臺北縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導熱 路基 制作方法 | ||
1、一種高導熱電路基板的制作方法，其特征在于包含下列各步驟：
a)提供一金屬基板；
b)在所述金屬基板表面形成一絕緣層；
c)在所述氧化層表面形成一中間介層；
d)以電化學技術在所述中間介層表面形成一導電主層。
2、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟a)中的所述金屬基板，為選自鋁、鎂、鈦以及其合金所構成族群中的其中一種。
3、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟b)中的所述絕緣層，是以電化學激化陽極處理形成，利用草酸(H2C2O4)為工作溶液，預定工作電壓為260～400Volts，預定工作電流為1～6A/dm2。
4、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟b)中的所述絕緣層，為所述金屬基板表面的化合物。
5、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟c)的所述中間介層，按照形成順序區分為一第一介層以及一導電介層，所述第一介層介于所述絕緣層以及所述導電介層之間。
6、如權利要求5所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟c)的所述第一介層，為鎂、鋁、鈦、釩、鉻、鎳、鋯、鉬、鎢以及其化合物。
7、如權利要求6所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟c)的所述第一介層為氧化鈦。
8、如權利要求5所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟c)的所述導電介層，為選自鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑以及金其中之一。
9、如權利要求5所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的所述導電主層形成于所述中間介層的導電介層表面。
10、如權利要求5所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的所述導電介層的厚度在1μm以下。
11、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的所述導電主層，為選自鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑以及金其中之一。
12、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的所述導電主層的厚度在13μm以上。
13、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟b)的所述絕緣層以氮化處理形成，為所述金屬的氮化物。
14、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟b)的所述絕緣層，同時以氮化及氧化處理形成，為所述金屬的氮氧化合物。
15、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：在步驟c)的中間介層及步驟d)的導電層均成型一預定圖案。
16、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的所述導電層，選用銑削、mask侵蝕其中的一種方式形成一預定圖案。
17、如權利要求1所述高導熱電路基板的制作方法，其特征在于：步驟d)的電化學技術為電鍍技術。
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