[發明專利]在減少低－k介電材料損傷的同時去除掩模材料的方法

無效

• 申請號: 200710095857.6
• 申請日: 2007-04-10
• 公開（公告）號: CN101064253A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 黃志林;李思怡;周慶軍
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1、一種用于在工藝腔室內從襯底去除掩模材料的方法，該方法包括：

(a)提供襯底，該襯底具有暴露的低-k材料和待去除的掩模材料；

(b)在第一時間周期將所述掩模材料暴露于由還原性化學物質形成的第一等離子中；以及

(c)在第二時間周期將所述掩模材料暴露于由氧化性化學物質形成的第二等離子體中。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原性化學物質包括氨氣、氫氣、甲烷和氮氣至少其中之一。

3、根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述還原性化學物質的所述流速在大約100-1000sccm的范圍內，以及所述處理腔室保持在大約2mTorr至300mTorr之間的壓力下。

4、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化性化學物質包括氧氣、一氧化碳、二氧化碳和水蒸氣的至少其中之一。

5、根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化性化學物質的所述流速在大約10-500sccm的范圍內，以及所述處理腔室保持在小于或等于約100mTorr的壓力下。

6、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二等離子體還包括至少一種稀釋氣體。

7、根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少一種稀釋氣體包括氦、氬和氙的至少其中之一。

8、根據權利要求6所述的方法，其特征在于，以稀釋氣體與氧化性化學物質在約1∶1至5∶1之間的比率提供所述稀釋氣體設置。

9、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)在所述步驟(b)之前發生。

10、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一時間周期在約10-1000秒之間而所述第二時間周期在約10-300秒之間。

11、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括重復步驟(b)或(c)至少其中之一前面發生的步驟。

12、根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

首先執行所述步驟(b)或(c)中的一個步驟；

執行所述步驟(b)或(c)中的另一步驟；以及

重復所述首先執行步驟。

13、一種含有軟件的計算機可讀媒體，當通過計算機執行該軟件時，該軟件促使處理系統在工藝腔室內從具有暴露的低-k材料的襯底去除掩模材料，該媒體包括：

(a)在第一時間周期將所述掩模材料暴露在由還原性化學物質形成的第一等離子體中；以及

(b)在第二時間周期將所述掩模材料暴露在由氧化性化學物質形成的第二等離子體中。

14、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述還原性化學物質包括氨、氫、甲烷和氮至少其中之一。

15、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述還原性化學物質的所述流速在大約100-1000sccm的范圍內，以及所述處理腔室保持在大約2mTorr至300mTorr之間的一壓力下。

16、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述氧化性化學物質包括氧、一氧化碳、二氧化碳和水蒸氣至少其中之一。

17、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述氧化性化學物質的所述流速在大約10-500sccm的范圍內，以及所述處理腔室保持在小于或等于約100mTorr的壓力下。

18、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述第二等離子體還包括至少一種稀釋氣體，所述稀釋氣體包括氦、氬和氙至少其中之一。

19、根據權利要求18所述的計算機可讀媒體，其特征在于，以稀釋氣體與氧化性化學物質為1∶1至5∶1之間的比率提供所述稀釋氣體。

20、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，所述第一時間周期約為10-1000秒之間，所述第二周期時間約為10-300秒之間。

21、根據權利要求13所述的計算機可讀媒體，其特征在于，還包括重復所述步驟(a)或(b)至少其中之一前面發生的步驟。