[發(fā)明專利]DRAM單元晶體管器件和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094551.9
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101459137A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔助鳳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/336;H01L27/108;H01L23/522;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種形成存儲器件的方法，所述方法包括：

提供包含表面區(qū)域的襯底；

在所述襯底之內(nèi)形成阱結(jié)構(gòu)，所述形成阱結(jié)構(gòu)包括在所述襯底之內(nèi)形成P-阱區(qū)域，所述P-阱區(qū)域中硼的摻雜濃度是1-7×10¹⁵/cm³；

在所述阱結(jié)構(gòu)之內(nèi)形成隔離區(qū)；

提供覆蓋在所述阱結(jié)構(gòu)上延伸的所述表面區(qū)域的保護(hù)層，所述保護(hù)層是二氧化硅層或氮化物層；

沉積覆蓋所述保護(hù)層的光刻膠層；

通過選擇性地除去一部分光刻膠以暴露覆蓋第一區(qū)域的所述保護(hù)層同時保留覆蓋第二區(qū)域的所述光刻膠來圖案化所述光刻膠；

使用所述圖案化的光刻膠作為掩模，將用于調(diào)節(jié)閾值電壓的P-型雜質(zhì)注入所述第一區(qū)域，所述P-型雜質(zhì)的劑量是2-5×10¹¹/cm²或10¹²/cm²；

保持所述第二區(qū)域基本上沒有所述用于調(diào)節(jié)閾值電壓的雜質(zhì)；

除去所述光刻膠掩模；

提供覆蓋所述表面區(qū)域的柵極介電層；

在所述柵極介電層上形成柵極疊層，所述柵極疊層包括覆蓋多晶硅層的硅化物層；

使用所述柵極疊層作為掩模將雜質(zhì)注入所述襯底，以形成輕度摻雜的漏極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極疊層的側(cè)面上提供間隔物；

通過離子注入劑量為1-7×10¹⁵/cm²的N-型摻雜劑，形成源極區(qū)和漏極區(qū)；

在所述源極區(qū)上提供接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)與所述源極區(qū)之間的結(jié)區(qū)基本上在第二區(qū)域之內(nèi)；和

提供電荷儲存電容器，所述電容器通過所述接觸結(jié)構(gòu)與所述源極區(qū)電接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中將P-型雜質(zhì)注入所述第一區(qū)域包括注入包含硼的雜質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中形成隔離區(qū)包括形成淺溝槽隔離區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中形成柵極疊層包括：

在所述柵極介電層上沉積多晶硅層；

沉積覆蓋所述多晶硅層的金屬層；

形成硅化物層；和

圖案化所述硅化物層和所述多晶硅層。

5.如權(quán)利要求4所述的形成存儲器件的方法，其中形成源極區(qū)和漏極區(qū)包括：使用所述圖案化柵極疊層作為掩模，將N-型雜質(zhì)注入所述襯底。

6.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中提供電荷儲存電容器包括：

提供第一導(dǎo)電層；

形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層的介電層；

形成覆蓋所述介電層的第二導(dǎo)電層；和

圖案化所述第二導(dǎo)電層。

7.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中所述第一區(qū)域包括多個分離的區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的形成存儲器件的方法，其中所述第二區(qū)域包括多個分離的區(qū)域。