[發明專利]半導體器件特殊結構的制作方法

無效

• 申請號: 200710094365.5
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101452829A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 錢文生;劉俊文
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周 赤

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，涉及半導體制造工藝，特別涉及一種半導體器件特殊結構的制作方法。

背景技術

隨著半導體技術的不斷發展，特征尺寸越來越小，半導體器件的結構也在發生一定的變化，在制作過程中需要實現一些特殊的結構以滿足器件的要求。例如，在硅襯底生成有一層二氧化硅，需要對該層二氧化硅進行刻蝕，形成如圖2所示的一種特殊結構，除去硅襯底凸臺的上面的二氧化硅及位于硅襯底凸臺平面之下的側面邊沿的一部分二氧化硅，保留硅襯底凹槽底上的二氧化硅，由于生成的二氧化硅層在硅襯底表面呈均勻分布且厚度較薄，運用現有的普通光刻技術和刻蝕技術很難實現，因為普通曝光和刻蝕工藝只是把被光照到的區域完全刻蝕掉或完全不被刻蝕(刻蝕與否取決于用的是正光刻膠還是負光刻膠)，很難高精度的控制只除去硅襯底凸臺的上面的二氧化硅及位于硅襯底凸臺平面之下的側面邊沿的一部分二氧化硅而保留硅襯底凹槽底上的二氧化硅，實現該特殊結構。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種半導體器件特殊結構的制作方法，該方法能實現半導體器件特殊結構且工藝簡單。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是，硅片制品上涂布光刻膠后，對有特殊結構需要的位置，根據特殊結構需要，控制曝光的焦深及焦平面的位置，使處于透鏡焦深范圍內的光刻膠被曝光，而焦深范圍之外的光刻膠不被曝光，顯影后焦深范圍之外的光刻膠被保留下來作為后續刻蝕工藝的阻擋層，最終實現特殊結構的制作。

本發明的半導體器件特殊結構的制作方法，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置來實現一定厚度的光刻膠被曝光，從而實現了半導體器件特殊結構，工藝簡單。

附圖說明

下面結合附圖及具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。

圖1是本發明的原理示意圖；

圖2是一種特殊結構的示意圖；

圖3是本發明的半導體器件特殊結構的制作方法的一實施方式示意圖。

具體實施方式

本發明的半導體器件特殊結構的制作方法的原理如圖1所示，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置來實現一定厚度的光刻膠被曝光，也就是處于透鏡焦深范圍內的光刻膠被曝光，而焦深范圍之外的光刻膠沒能被曝光，這就實現了表面一定厚度(厚度小于焦深)的光刻膠被曝光，并通過顯影被去除，而某些特殊具有一定厚度的光刻膠的下層光刻膠部分則沒能被曝光，在顯影后仍然被保留下來，作緊接下來的刻蝕工藝的阻擋層，最終實現特殊結構的制作。

本發明的半導體器件特殊結構的制作方法的一實施方式如圖3所示，硅襯底經刻蝕形成硅槽；進行二氧化硅淀積在硅襯底表面生成一二氧化硅層；在淀積的二氧化硅層上涂布光刻膠；對光刻膠曝光，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置使位于硅襯底凸臺及凸臺側邊二氧化硅層上面的光刻膠層處于透鏡焦深范圍內，完全被曝光，而凸臺側邊二氧化硅層之外的硅槽上面的光刻膠只有一定厚度的光刻膠被曝光，處于透鏡焦深范圍內的光刻膠被曝光，而焦深范圍之外的光刻膠沒能被曝光；進行光刻膠顯影，可見硅襯底凸臺及凸臺側邊二氧化硅層上面的光刻膠層被去除，而凸臺側邊二氧化硅層之外的硅槽上面有一定厚度的下層光刻膠在顯影后仍然被保留下來；進行二氧化硅刻蝕，硅襯底凸臺上面的二氧化硅及凸臺側邊低于硅襯底凸臺平面一定高度的二氧化硅層被刻蝕掉，凸臺側邊二氧化硅層之外的硅槽上面的二氧化硅層有一定厚度的下層光刻膠作阻擋層，沒有被刻蝕；光刻膠去除，制成了如圖2所示的一種半導體器件特殊結構。

本發明的半導體器件特殊結構的制作方法，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置來實現一定厚度的光刻膠被曝光，從而實現了半導體器件特殊結構，工藝簡單。