[發明專利]半導體器件特殊結構的制作方法無效

申請號：	200710094365.5	申請日：	2007-11-30
公開（公告）號：	CN101452829A	公開（公告）日：	2009-06-10
發明（設計）人：	錢文生;劉俊文	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L21/311;G03F7/20
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司	代理人：	周赤
地址：	201206上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件特殊結構制作方法
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【權利要求書】：

1、一種半導體器件特殊結構的制作方法，其特征在于，硅片制品上涂布光刻膠后，對有特殊結構需要的位置，根據特殊結構需要，控制曝光的焦深及焦平面的位置，使處于透鏡焦深范圍內的光刻膠被曝光，而焦深范圍之外的光刻膠不被曝光，顯影后焦深范圍之外的光刻膠被保留下來作為后續刻蝕工藝的阻擋層，最終實現特殊結構的制作。

2、根據權利要求1所述的半導體器件特殊結構的制作方法，其特征在于，所述特殊結構為硅襯底凸臺的上面無二氧化硅層，硅襯底凸臺側面邊沿的二氧化硅層低于硅襯底凸臺一定高度，硅襯底凹槽底保留二氧化硅層。

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