[發(fā)明專利]外延膜厚的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710094356.6
• 申請(qǐng)日: 2007-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN101452869A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勇;徐偉中;張洪偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01B11/06
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳 平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝的測(cè)試方法，特別是涉及一種硅片上外延膜厚的測(cè)試方法。

背景技術(shù)

請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有的對(duì)硅片上外延膜厚的測(cè)試點(diǎn)有49個(gè)，分布在硅片中心和以硅片中心為圓心的三個(gè)不同直徑的圓周上。其中硅片中心是1個(gè)測(cè)試點(diǎn)，半徑為31mm的圓周上均勻分布有8個(gè)測(cè)試點(diǎn)，半徑為64mm的圓周上均勻分布有16個(gè)測(cè)試點(diǎn)，半徑為94mm的圓周上均勻分布有24個(gè)測(cè)試點(diǎn)，一共有49個(gè)測(cè)試點(diǎn)。

現(xiàn)有的外延膜厚的測(cè)試方法是按照逆時(shí)針方向?qū)θ齻€(gè)圓周上的測(cè)試點(diǎn)依次進(jìn)行測(cè)試，首先測(cè)試硅片中心的測(cè)試點(diǎn)，然后測(cè)試半徑為31mm的圓周上分布的測(cè)試點(diǎn)，接著測(cè)試半徑為64mm的圓周上分布的測(cè)試點(diǎn)，最后測(cè)試半徑為94mm的圓周上分布的測(cè)試點(diǎn)。圖1的示意圖中每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的序號(hào)即為測(cè)試順序。

請(qǐng)參閱圖2，使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備對(duì)硅片平臺(tái)(stage)上的硅片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，允許的硅片的運(yùn)動(dòng)方向包括直線運(yùn)動(dòng)和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。其中，直線運(yùn)動(dòng)僅限以硅片中心為原點(diǎn)的XY坐標(biāo)軸上的平行于X軸或直線運(yùn)動(dòng)；旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)僅限以硅片中心為軸的順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。

上述測(cè)試方法中從一個(gè)測(cè)試點(diǎn)到達(dá)另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)時(shí)，硅片平臺(tái)最多需要進(jìn)行兩次直線運(yùn)動(dòng)和一次旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。例如，對(duì)測(cè)試點(diǎn)10測(cè)試完畢，準(zhǔn)備測(cè)試測(cè)試點(diǎn)11。首先，需要使光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)準(zhǔn)硅片中心即測(cè)試點(diǎn)1，這需要進(jìn)行從測(cè)試點(diǎn)10到測(cè)試點(diǎn)1的直線運(yùn)動(dòng)。然后，再以硅片中心為軸進(jìn)行從測(cè)試點(diǎn)10到測(cè)試點(diǎn)11的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。最后，進(jìn)行從硅片中心到測(cè)試點(diǎn)11的直線運(yùn)動(dòng)。通常對(duì)于同一個(gè)圓周上的兩個(gè)相鄰的測(cè)試點(diǎn)，硅片平臺(tái)都要通過兩次直線運(yùn)動(dòng)和一次旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)才能到達(dá)，這會(huì)耗費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間，使得測(cè)試效率較低，在一定程度上影響了外延的生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種外延膜厚的測(cè)試方法，該方法能夠在不影響測(cè)試精度的情況下，縮短測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明外延膜厚的測(cè)試方法，所述方法測(cè)試多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)分布在通過硅片中心的一條或多條直線以及以硅片中心為圓心的一個(gè)或多個(gè)圓周上，所述方法首先測(cè)試分布在直線上的測(cè)試點(diǎn)，再測(cè)試分布在圓周上的測(cè)試點(diǎn)；

所述方法測(cè)試分布在直線上的測(cè)試點(diǎn)時(shí)，先測(cè)試同一條直線上的測(cè)試點(diǎn)，再測(cè)試不同直線上的測(cè)試點(diǎn)；

所述方法測(cè)試分布在圓周上的測(cè)試點(diǎn)時(shí)，先測(cè)試同一個(gè)圓周上的測(cè)試點(diǎn)，再測(cè)試不同圓周上的測(cè)試點(diǎn)；

每個(gè)測(cè)試點(diǎn)只測(cè)試一次；當(dāng)一個(gè)測(cè)試點(diǎn)同時(shí)分布在直線和圓周上，該測(cè)試點(diǎn)只在直線上參與測(cè)試；當(dāng)一個(gè)測(cè)試點(diǎn)同時(shí)分布在多條直線上，該測(cè)試點(diǎn)只在最早測(cè)試的直線上參與測(cè)試。

本發(fā)明外延膜厚的測(cè)試方法實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，只需在測(cè)試設(shè)備相應(yīng)目錄下新建一個(gè)測(cè)試圖形文件即可。由于測(cè)試分布在直線上的測(cè)試點(diǎn)時(shí)，同一條直線上從一個(gè)測(cè)試點(diǎn)到達(dá)另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)只需要進(jìn)行一次直線運(yùn)動(dòng)，因此可以有效減少測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是現(xiàn)有的外延膜厚的測(cè)試順序示意圖；

圖2是外延膜厚的測(cè)試規(guī)則的示意圖；

圖3是本發(fā)明外延膜厚的測(cè)試點(diǎn)順序示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明對(duì)硅片上外延膜厚的測(cè)試點(diǎn)的數(shù)量及位置與圖1所示的現(xiàn)有的測(cè)試點(diǎn)的數(shù)量和位置完全一致。但是，本發(fā)明將這些測(cè)試點(diǎn)按照與現(xiàn)有方法不同的幾何圖形進(jìn)行歸納，即所述的49個(gè)測(cè)試點(diǎn)分布在通過硅片中心的四條直線以及以硅片中心為圓心的兩個(gè)圓周上。其中四條直線之間每相鄰的兩條直線相差45度角，四條直線上共分布有25個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；半徑為64mm的圓周上均勻分布有16個(gè)測(cè)試點(diǎn)，半徑為94mm的圓周上均勻分布有24個(gè)測(cè)試點(diǎn)，除去同時(shí)分布在四條直線上的檢測(cè)點(diǎn)，兩個(gè)圓周上共分布有24個(gè)檢測(cè)點(diǎn)。

根據(jù)圖3所示的測(cè)試點(diǎn)的分布規(guī)律，本發(fā)明首先測(cè)試分布在一條直線上的測(cè)試點(diǎn)1～測(cè)試點(diǎn)7，接著測(cè)試分布在另一條直線上的測(cè)試點(diǎn)8～測(cè)試點(diǎn)13，接著測(cè)試分布在第三條直線上的測(cè)試點(diǎn)14～測(cè)試點(diǎn)19，接著測(cè)試分布在第四條直線上的測(cè)試點(diǎn)20～測(cè)試點(diǎn)25。然后本發(fā)明測(cè)試分布在一個(gè)圓周上的測(cè)試點(diǎn)26～測(cè)試點(diǎn)33，接著測(cè)試分布在另一圓周上的測(cè)試點(diǎn)34～測(cè)試點(diǎn)49。圖3中每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的序號(hào)即為本發(fā)明所述方法的測(cè)試順序。

所述方法測(cè)試分布在直線上的測(cè)試點(diǎn)時(shí)，同一條直線上從一個(gè)測(cè)試點(diǎn)到達(dá)另一個(gè)測(cè)試點(diǎn)僅需要一次直線運(yùn)動(dòng)。例如，對(duì)測(cè)試點(diǎn)6測(cè)試完畢，準(zhǔn)備測(cè)試測(cè)試點(diǎn)7。這只需要進(jìn)行從測(cè)試點(diǎn)6到測(cè)試點(diǎn)7的直線運(yùn)動(dòng)即可。