[發(fā)明專利]外延膜厚的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710094356.6 | 申請日： | 2007-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN101452869A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李勇;徐偉中;張洪偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陳 平 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 測試 方法 | ||
1.一種外延膜厚的測試方法，所述方法測試多個測試點，所述測試點分布在通過硅片中心的一條或多條直線以及以硅片中心為圓心的一個或多個圓周上，其特征是：所述方法首先測試分布在直線上的測試點，再測試分布在圓周上的測試點；
所述方法測試分布在直線上的測試點時，先測試同一條直線上的測試點，再測試不同直線上的測試點；
所述方法測試分布在圓周上的測試點時，先測試同一個圓周上的測試點，再測試不同圓周上的測試點；
每個測試點只測試一次；當一個測試點同時分布在直線和圓周上，該測試點只在直線上參與測試；當一個測試點同時分布在多條直線上，該測試點只在最早測試的直線上參與測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延膜厚的測試方法，其特征是：所述測試點分布在通過硅片中心的四條直線以及以硅片中心為圓心的兩個圓周上，所述四條直線之間每相鄰的兩條直線相差45度角，所述兩個圓周的半徑分別為64mm和94mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延膜厚的測試方法，其特征是：所述測試點為49個，分布在硅片中心和以硅片中心為圓心的三個圓周上，其中半徑為31mm的圓周上均勻分布有8個測試點，半徑為64mm的圓周上均勻分布有16個測試點，半徑為94mm的圓周上均勻分布有24個測試點。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延膜厚的測試方法，其特征是：所述方法同一條直線上從一個測試點通過直線運動到達另一個測試點，不同直線之間、同一個圓周上從一個測試點到達另一個測試點、不同圓周之間均通過旋轉(zhuǎn)運動與直線運動的結(jié)合到達。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延膜厚的測試方法，其特征是：所述方法從一條直線上的一個測試點到達另一條直線上的另一個測試點時，所進行的旋轉(zhuǎn)運動為以硅片中心為軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)45度角。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
