[發明專利]OTP存儲器單元及其讀取和編程方法無效
| 申請號： | 200710094247.4 | 申請日： | 2007-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN101441889A | 公開（公告）日： | 2009-05-27 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;熊濤;陳瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/02 | 分類號： | G11C16/02;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | otp 存儲器 單元 及其 讀取 編程 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種OTP存儲器單元，其特征在于：所述OTP存儲器單元包括第一個PMOS晶體管和第二個PMOS晶體管，所述第一個PMOS晶體管的柵極為該OTP存儲器單元的字線端，所述第一個PMOS晶體管的源極為該OTP存儲器單元的源極端，所述第一個PMOS晶體管的漏區和所述第二個晶體管的源區共用一個P+區，所述第二個PMOS晶體管的柵極位于浮置狀態，所述第二個PMOS晶體管的漏極為該OTP存儲器單元的位線端。
2、一種權利要求1所述的OTP存儲器單元編程和讀取的方法，其特征在于：讀取狀態下，在所述OTP存儲器單元的源極端和襯底端加0電壓，所述OTP存儲器單元的字線端和位線端加負電壓，以使所述第一個PMOS晶體管導通；編程狀態下，在所述OTP存儲器單元的字線端和位線端加0電壓，所述OTP存儲器單元的源極端和襯底端加比正常工作電壓大的正電壓，使兩個PMOS晶體管導通，并使熱載流子注入到浮置的第二個PMOS晶體管的柵極中。
3、按照權利要求2所述的OTP存儲器單元編程和讀取的方法，其特征在于：所述編程時，而在VSL源極和襯底接線端Vsub上加的電壓比PMOS晶體管正常工作電壓高1～3V。
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