[發(fā)明專利]低噪聲寬帶放大器電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094195.0
• 申請日: 2007-11-02
• 公開（公告）號: CN101425780A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發(fā)明（設計）人: 趙春;魏述然
• 申請（專利權）人: 銳迪科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/42;H03F3/193;H03K19/20;H03K19/0944
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 陳 平

技術領域

本發(fā)明涉及一種電路，尤其是一種低噪聲寬帶放大器電路。

背景技術

低噪聲寬帶放大器電路為射頻芯片前段模塊，要求具有低噪聲、高帶寬、高線性度、高增益、低功耗的特點，多用于FM解調(diào)器、TV解調(diào)器、UWB或其他寬帶射頻的技術方案中。現(xiàn)有的低噪聲寬帶放大器(LNA)電路方案中，比較常見的有三種：

圖1所示的電路為具有共柵輸入結構低噪聲寬帶放大器電路，包括有一個NMOS管，該NMOS管的柵極連接有偏置電壓Vbias，漏極通過一可變電阻Rload連接到電源端，源極通過電阻Rs接地，所述電阻Rs與源極連接的一端作為信號輸入端，所述漏極作為信號輸出端。

圖2所示的電路為帶并聯(lián)輸入電阻的共源放大器電路，包括有一個NMOS管，該MOS管的漏極通過一可變電阻Rload連接到電源端，源極直接接地，柵極通過一個電阻R連接輸入信號，所述柵極還通過一電阻Rs接地，所述漏極作為信號輸出端。

圖3所示的電路為具有串并反饋結構的低噪聲寬帶放大器電路，包括有一個NMOS管，該NMOS管的柵極通過一個電阻R連接輸入信號，所述柵極與漏極之間連接有電阻Rf，漏極通過一可變電阻Rload連接到電源端，源極通過電阻Rs接地，所述漏極作為信號輸出端。

上述的三種現(xiàn)有的低噪聲寬帶放大器電路普遍具有的缺點是：噪聲系數(shù)大、功耗大、抗反踢能力差，越來越不適應技術發(fā)展的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種低噪聲寬帶放大器電路，能夠解決帶寬、低噪聲、高線性度等指標之間的矛盾，使得低噪聲寬帶放大器電路同時具有很好的噪聲系數(shù)、低功耗、高線性度、寬帶阻抗匹配和抗負載電路反踢的性能。

為解決上述技術問題，本發(fā)明低噪聲寬帶放大器電路的技術方案是，包括第一級電路和第二級電路，所述第一級電路包括兩個倒相器，差分輸入信號的兩端分別連接到所述兩個倒相器的輸入端，所述第二級電路也包括兩個倒相器，所述第一級電路的兩個倒相器的輸出端分別連接到所述第二級電路的兩個倒相器的輸入端，所述第一級電路與所述第二級電路之間采用電流源隔離，所述第二級電路與電源之間也隔離有電流源，所述第二級電路的兩個倒相器的輸出端為低噪聲寬帶放大器電路的輸出端。

本發(fā)明采用電流復用的兩級結構，并且每一級都采用兩個對稱的倒相器(inverter)，具有很好的穩(wěn)定性和高增益性能，同時功耗大大降低；第一級和第二級之間采用自偏置電流源隔離，具有很好的隔離效果，同時使得第二級具有單端輸入轉差分輸出的效果，第二級也有抗后面負載電路反踢的效果，避免了芯片內(nèi)部射頻噪聲從放大器電路輸入到天線端泄漏出去；由于放大器電路采用了二級結構，所以也實現(xiàn)了較高的增益。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

圖1、圖2和圖3為現(xiàn)有的低噪聲寬帶放大器電路的電路圖；

圖4為本發(fā)明低噪聲寬帶放大器電路的電路圖；

圖5為本發(fā)明低噪聲寬帶放大器電路一種實施例的電路圖；

圖6為圖5中電路的電流源所連接的電壓偏置電路的電路圖。

具體實施方式

如圖4所示，本發(fā)明低噪聲寬帶放大器電路，包括第一級電路和第二級電路，所述第一級電路包括兩個倒相器，差分輸入信號的兩端分別連接到所述兩個倒相器的輸入端INP和INN，所述第二級電路也包括兩個倒相器，所述第一級電路的兩個倒相器的輸出端分別連接到所述第二級電路的兩個倒相器的輸入端，所述第一級電路與所述第二級電路之間采用電流源隔離，所述第二級電路與電源之間也隔離有電流源，所述第二級電路的兩個倒相器的輸出端VOP和VON為低噪聲寬帶放大器電路的輸出端。

所述第一級電路的輸出端和所述第二級電路的輸入端之間設置有耦合電容C3和C4；所述差分輸入信號與所述第一級電路的輸入端之間也設置有耦合電容C1和C2。