[發明專利]低噪聲寬帶放大器電路

無效

• 申請號: 200710094195.0
• 申請日: 2007-11-02
• 公開（公告）號: CN101425780A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 趙春;魏述然
• 申請（專利權）人: 銳迪科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/42;H03F3/193;H03K19/20;H03K19/0944
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 平

1.一種低噪聲寬帶放大器電路，其特征在于，包括第一級電路和第二級電路，所述第一級電路包括兩個倒相器，差分輸入信號的兩端分別連接到所述兩個倒相器的輸入端，所述第二級電路也包括兩個倒相器，所述第一級電路的兩個倒相器的輸出端分別連接到所述第二級電路的兩個倒相器的輸入端，所述第一級電路與所述第二級電路之間采用電流源隔離，所述第二級電路與電源之間也隔離有電流源，所述第二級電路的兩個倒相器的輸出端為低噪聲寬帶放大器電路的輸出端。

2.根據權利要求1所述的低噪聲寬帶放大器電路，其特征在于，所述第一級電路的輸出端和所述第二級電路的輸入端之間設置有耦合電容；所述差分輸入信號與所述第一級電路的輸入端之間也設置有耦合電容。

3.根據權利要求1所述的低噪聲寬帶放大器電路，其特征在于，所述倒相器包括一個NMOS管和一個PMOS管，所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極相連接，所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極相連接，所述NMOS管和PMOS管的柵極和漏極之間連接有可變電阻，所述NMOS管和PMOS管的柵極為所述倒相器的輸入端，所述NMOS管和PMOS管的漏極為所述倒相器的輸出端；在第一級電路中，兩個PMOS管的源極相連接，兩個NMOS管的源極相連接并接地；在第二級電路中，兩個PMOS管的源極相連接，兩個NMOS管的源極相連接；所述第一級電路與所述第二級電路之間隔離的電流源設置在所述第一級電路PMOS管的源極與所述第二級電路NMOS管的源極之間，所述第二級電路與電源之間的電流源設置在所述第二級電路PMOS管的源極與電源之間。

4.根據權利要求3所述的低噪聲寬帶放大器電路，其特征在于，所述第一級電路和第二級電路之間的電流源包括一個NMOS管，該NMOS管的柵極連接有偏置電壓，該NMOS管的漏極連接到所述第二級電路NMOS管的源極，該NMOS管的源極連接到所述第一級電路PMOS管的源極。

5.根據權利要求4所述的低噪聲寬帶放大器電路，其特征在于，所述偏置電壓由一電壓偏置電路提供，所述電壓偏置電路的偏置電壓輸出端分別連接三個電阻R5、R6、R7和一個電容C5的一端，所述電阻R5的另一端連接到所述第二級電路的一個輸出端，所述電阻R6的另一端連接到所述第二級電路的另一個輸出端，所述電阻R7的另一端與所述電容C5的另一端都連接到所述第一級電路中PMOS管的源極。