[發(fā)明專利]光刻處理單元和器件制造方法有效

申請?zhí)枺?/td>	200710093694.8	申請日：	2007-04-02
公開（公告）號：	CN101051189A	公開（公告）日：	2007-10-10
發(fā)明（設計）人：	S·G·克魯斯維杰克;J·G·利明	申請（專利權）人：	ASML荷蘭有限公司
主分類號：	G03F7/20	分類號：	G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	曾祥夌;劉華聯(lián)
地址：	荷蘭費***	國省代碼：	荷蘭;NL
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摘要：
搜索關鍵詞：	光刻處理單元器件制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發(fā)明涉及一種包括光刻裝置和處理裝置的光刻處理單元，本發(fā)明還涉及一種或多種器件制造方法。

背景技術

光刻裝置是可在襯底、通常是襯底的目標部分上施加所需圖案的機器。光刻裝置例如可用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可采用圖案形成裝置來產(chǎn)生將形成于IC的單個層上的電路圖案，該圖案形成裝置也稱為掩模或分劃板。該圖案可被轉移到襯底(如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或多個管芯)上。圖案的轉移通常借助于成像到設于襯底上的一層輻射敏感材料(光刻膠)上來實現(xiàn)。通常來說，單個襯底包含被連續(xù)地形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次性地曝光在目標部分上來照射各目標部分，還包括所謂的掃描器，其中通過沿給定方向(“掃描”方向)由輻射光束來掃描圖案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地掃描襯底來照射各目標部分。還可以通過將圖案壓印在襯底上來將圖案從圖案形成裝置轉移到襯底上。

在一種采用投影光刻裝置的器件制造方法中，通常被稱為臨界尺寸(CD)的最小特征尺寸，是由曝光輻射的波長(λ)以及投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)來確定的。已經(jīng)發(fā)展了各種技術來減小CD，并且這些技術常常組合成已知為k₁的因子，使得CD＝k₁.λ/NA。利用當前的技術，可能不可以在單次曝光-顯影-處理循環(huán)中對要比大約0.25 的k1因子所確定的特征更小的特征進行成像。但是，可以利用雙重曝光和雙重處理技術來對更小的特征進行成像。

在雙重曝光技術中，在顯影之前，對單層光刻膠層用進行兩次曝光，這可以是利用兩種不同的圖案來進行曝光，或者可利用同一圖案但帶有位置偏差來進行曝光。在雙重技術中，第一光刻膠層被進行曝光和顯影處理，然后對襯底進行蝕刻，將圖案轉移到襯底上，然后將第二光刻膠層涂覆在襯底上。然后對第二光刻膠層進行曝光、顯影，并且對襯底進行蝕刻，使得襯底中的最終圖案由這兩個蝕刻步驟的組合來形成。雙重處理技術可用于形成許多種有用的結構，但是可能比較慢，要花一兩天時間，這是因為蝕刻步驟的原因，以及需要將襯底從光刻單元上取下所需，該光刻單元包括光刻裝置和處理裝置，例如旋涂器、顯影器，和烘烤及激冷板，以用于執(zhí)行蝕刻步驟。雖然雙重曝光技術可以更快地執(zhí)行，但是，它所適用的結構范圍仍然比較有限。

發(fā)明內(nèi)容

因此，例如，需要提供一種改進的方法和裝置，其能夠產(chǎn)生相當于小于或等于0.25的k₁值的結構。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種光刻單元，包括：

光刻裝置；

多個處理裝置，所述多個處理裝置包括填充裝置或者剝離裝置 (strip?apparatus)，或者同時包括填充裝置及剝離裝置；以及

控制器，其配置成用于控制光刻裝置和處理裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種使用光刻裝置的器件制造方法，所述方法包括：

利用第一填料來填充襯底的第一層輻射敏感材料中的第一圖案中的第一孔；

除去所述第一層輻射敏感材料，而不除去所述第一填料；

在所述第一填料周圍涂覆第二層輻射敏感材料；

對所述第二層輻射敏感材料進行曝光和顯影處理，以在其中的第二圖案中形成第二孔；

利用第二填料來填充所述第二孔；和