[發(fā)明專利]光刻處理單元和器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710093694.8
• 申請日: 2007-04-02
• 公開（公告）號: CN101051189A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·G·克魯斯維杰克;J·G·利明
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;劉華聯(lián)

1.一種使用光刻裝置的器件制造方法，所述方法包括：

將第一層輻射敏感材料涂覆在襯底上；和

對所述第一層輻射敏感材料進(jìn)行曝光和顯影，以在其中的第一圖案 中形成第一孔；

利用第一填料來填充襯底的第一層輻射敏感材料中的第一圖案中的 第一孔；

除去所述第一層輻射敏感材料，而不除去所述第一填料；

在所述第一填料周圍涂覆第二層輻射敏感材料；

對所述第二層輻射敏感材料進(jìn)行曝光和顯影處理，以在其中的第二 圖案中形成第二孔；

利用第二填料來填充所述第二孔；

除去所述第二層輻射敏感材料，而不除去所述第一和第二填料；

將所述襯底的未被所述第一填料和第二填料覆蓋的區(qū)域所限定的第 三圖案轉(zhuǎn)移到所述襯底中；和

除去所述第一和第二填料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一圖案和第二 圖案是交錯(cuò)的，使得所述第三圖案中的特征的間距小于所述第一圖案和 第二圖案中的特征的間距。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將所述第三圖案轉(zhuǎn)移 到所述襯底中包括，對未被所述第一和第二填料覆蓋的襯底區(qū)域進(jìn)行蝕 刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述第一和第二 孔包括，將填料材料旋涂在襯底上的已被曝光和顯影的輻射敏感材料層 上面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填料和第二 填料由相同的材料形成。

6.一種使用光刻裝置的器件制造方法，所述方法包括：

將第一層輻射敏感材料涂覆在襯底上；和

對所述第一層輻射敏感材料進(jìn)行曝光和顯影，以在其中的第一圖案 中形成第一孔；

利用第一填料來填充襯底的第一層輻射敏感材料中的第一圖案中的 第一孔；

除去所述第一層輻射敏感材料，而不除去所述第一填料；

在所述第一填料周圍涂覆第二層輻射敏感材料；

對所述第二層輻射敏感材料進(jìn)行曝光和顯影處理，以在其中的第二 圖案中形成第二孔；

除去所述第一填料，而不除去所述第二層輻射敏感材料，以形成對 應(yīng)于所述第一孔的第三孔；

將所述第二孔和第三孔所限定的第三圖案轉(zhuǎn)移到所述襯底中；和

除去所述第二層輻射敏感材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一圖案和第二 圖案是交錯(cuò)的，使得所述第三圖案中的特征的間距小于所述第一圖案和 第二圖案中的特征的間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，將所述第三圖案轉(zhuǎn)移 到所述襯底中包括，對未被所述第一和第二填料覆蓋的襯底區(qū)域進(jìn)行蝕 刻。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，填充所述第一和第二 孔包括，將填料材料旋涂在所述襯底上的已被曝光和顯影的輻射敏感材 料層上面。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一填料和第 二填料由相同的材料形成。