[發明專利]通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝

有效

• 申請號: 200710093216.7
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101215686A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 冀慶康;吳文俊;張永紅
• 申請（專利權）人: 重慶躍進機械廠
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務所
• 代理人: 郭云

1.一種通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝，包括濺前處理、軸瓦裝入濺射艙內夾具上、濺射艙抽真空、濺射鎳柵層(4)、濺射鋁合金減摩層(6)、檢查尺寸及外觀，其特征在于：在所述濺射艙抽真空與濺射鎳柵層(4)之間對軸瓦進行濺前負偏壓清洗，所述軸瓦濺前負偏壓清洗的工藝條件：PVD軸瓦基體(1)在已抽真空的濺射艙內，采用1Cr18Ni9Ti不銹鋼靶，對PVD軸瓦基體(1)通電，PVD軸瓦基體(1)電壓為-300～-1600伏；PVD軸瓦基體(1)電流為0.4～2.5安培；處理時間為3～40分鐘。

2.根據權利要求1所述通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝，其特征在于：所述對軸瓦進行濺前負偏壓清洗時濺射艙內溫度為30～60℃；工作氣體氬氣分壓為1～3Pa。

3.根據權利要求1所述通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝，其特征在于：所述軸瓦濺前負偏壓清洗與軸瓦基體(1)濺射鎳柵層(4)之間增設磁控濺射第一擴散層(3)；所述濺射鎳柵層(4)與濺射鋁合金減摩層(6)之間增設磁控濺射第二擴散層(5)。

4.根據權利要求3所述通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝，其特征在于：所述磁控濺射第一擴散層(3)的工藝條件：PVD軸瓦基體在抽真空的濺射艙內，參與互濺的基體襯里層(1)為CuPbSn，采用純度為99.99％的鎳靶，對PVD軸瓦基體通電，PVD軸瓦基體負偏壓為-300～-1700伏；PVD軸瓦基體電流為0.5～2安培；對鎳靶通電，鎳靶通負電壓為-200～-620伏；鎳靶電流為0.3～1安培；基體襯里層(1)與鎳靶互濺處理時間為3～40分鐘；最后第一擴散層(3)各組分重量百分比如下：Cu?0～5％；CuPb?2～5％；CuPbSn5～10％；CuNi?10～30％；CuPbSnNi?3～15％；CuPbNi余量；

5.根據權利要求3所述通過濺射艙內軸瓦濺前負偏壓清洗的PVD軸瓦磁控濺射工藝，其特征在于：所述磁控濺射第二擴散層(5)的工藝條件：覆蓋有鎳柵層(4)的PVD軸瓦基體在抽真空的濺射艙內，參與互濺的鎳柵層(4)為Ni，采用純度為99.2％的鋁錫銅合金靶，該鋁錫銅合金中錫的重量百分含量：16～24％；銅的重量百分含量：0.6～1.5％；其余為鋁的重量百分含量，對PVD軸瓦基體通電，PVD軸瓦基體負偏壓：-150～-1600伏；PVD軸瓦基體電流為0.3～2安培；對鋁錫銅合金靶通電，鋁錫銅合金靶負電壓：-150～-600伏；鋁錫銅合金靶電流：0.2～1安培；鎳柵層(4)與鋁錫銅合金靶互濺處理時間：2～30分鐘；最后第二擴散層(5)各組分重量百分比如下：Ni?0～3％；Ni₃Al?2～15％；NiAl?5～10％；Al₃Ni₂?10～30％；Al?10～20％；NiAlSnCu?0～15％；AlSnCu?10～25％；AlSn余量。