[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 200710092318.7 | 申請日： | 2007-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN101068031A | 公開（公告）日： | 2007-11-07 |
| 發明（設計）人： | 長谷川尚 | 申請（專利權）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;劉宗杰 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，使用在絕緣層上形成了硅層的SOI襯底而形成，其特征在于，包括：
晶體管元件，形成在所述SOI襯底的硅層上；
元件間隔離膜，在所述SOI襯底的硅層上使用LOCOS法形成，使所述晶體管元件彼此之間電氣隔離；以及
雜質擴散區域，形成在所述晶體管元件的源極區域中的與溝道形成區域之間的邊界部，具有與該源極區域的極性相反的導電類型，
所述雜質擴散區域形成在SOI襯底中的絕緣層和所述元件間隔離膜端部的鳥嘴形部之間。
2.根據權利要求1記載的半導體器件，其特征在于，所述晶體管元件為完全耗盡型。
3.根據權利要求2記載的半導體器件，其特征在于，形成所述晶體管元件的源極區域以及漏極區域的雜質擴散層與所述晶體管元件的柵極電極的導電類型相同。
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