[發明專利]顯示面板及其制造方法無效
| 申請號: | 200710091168.8 | 申請日: | 2007-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN101140939A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發明(設計)人: | 丁采祐;李正浩;李庸羽 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;李友佳 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種顯示面板及其制造方法,更具體地講,涉及一種像素具有增大的開口率的顯示面板和一種制造該顯示面板的方法。
背景技術
通常,液晶顯示器(LCD)包括:薄膜晶體管基底,具有像素電極和連接到像素電極的開關薄膜晶體管;共電極基底,具有共電極;液晶層,布置在薄膜晶體管基底和共電極基底之間。
通過在薄膜晶體管基底和共電極基底之間施加電壓,LCD驅動液晶層內的液晶。施加在薄膜晶體管基底和共電極基底之間的電壓產生電場。由于液晶層內的液晶具有各向異性介電常數,所以當電場施加到液晶時,液晶的取向變化。此外,由于液晶具有各向異性折射率,所以LCD裝置的透光率會根據液晶的取向而變化。LCD在兩個基底之間施加電場,使得液晶具有與作為數據信號傳輸的顯示信息對應的透光率。因此,液晶的取向根據施加的電場而變化,從而圖像顯示在LCD上。
在傳統的LCD中,存儲電極布置在像素電極下面,并與像素電極疊置。利用像素電極和存儲電極之間的電容,像素電極的電壓保持一定時間的時間段。
為了增大像素電極和存儲電極之間的電容,已經增大了存儲電極的尺寸。然而,由于存儲電極可以是金屬材料,會阻擋光的透射,所以增大存儲電極的尺寸會使單元像素中的開口率減小。
發明內容
本發明提供了一種顯示面板及一種制造該顯示面板的方法,該顯示面板通過形成凹陷來暴露與存儲電極的上表面對應的區域而具有增大的存儲電極和像素電極之間的電容,并通過減小存儲電極的大小而具有提高的開口率。
本發明的其它特征將在隨后的描述中提出,并部分地將從描述中清楚,或者可以通過本發明的實踐而獲知。
本發明公開了一種薄膜晶體管基底,該薄膜晶體管基底包括:薄膜晶體管,布置在基底上,其中,薄膜晶體管包括柵電極、布置在柵電極上的第一絕緣膜、布置在第一絕緣膜上的有源層以及布置在有源層上的源電極和漏電極;存儲電極,布置在基底上;第二絕緣膜,布置在薄膜晶體管上;凹陷,形成在第二絕緣膜中;像素電極,布置在第二絕緣膜和凹陷上,其中,像素電極連接到薄膜晶體管。此外,凹陷的寬度大于存儲電極的寬度。
本發明還公開了一種包括薄膜晶體管基底的顯示面板。薄膜晶體管基底包括第一基底,所述第一基底包括:薄膜晶體管,布置在第一基底上,其中,薄膜晶體管包括柵電極、布置在柵電極上的第一絕緣膜、布置在第一絕緣膜上的有源層以及布置在有源層上的源電極和漏電極;存儲電極,布置在第一基底上;第二絕緣膜,布置在薄膜晶體管上;凹陷,形成在第二絕緣膜中;像素電極,布置在第二絕緣膜和凹陷上,其中,像素電極連接到薄膜晶體管。此外,凹陷的寬度大于存儲電極的寬度。該顯示面板還包括第二基底以及布置在第一基底和第二基底之間的液晶層,其中第二基底包括對應于像素電極布置的共電極。
本發明還提供了一種制造薄膜晶體管基底的方法。該方法包括:在基底上形成柵電極和存儲電極;在柵電極和存儲電極上形成柵極絕緣膜;在柵極絕緣膜上形成有源層;在有源層上形成源電極和漏電極;在基底上形成保護膜;形成凹陷;在凹陷和保護膜上形成像素電極。此外,形成凹陷的步驟包括在對應于所述存儲電極的區域中去除所述保護膜的一部分,所述保護膜的這部分的尺寸大于所述存儲電極的尺寸。
應該理解的是,上述大致的描述和下面詳細的描述都是示例性的和說明性的,并意在提供對如權利要求的本發明的進一步說明。
附圖說明
附圖示出了本發明的實施例,并和說明書一起用來說明本發明的原理,其中,包含的附圖提供了對本發明的進一步理解,并包含在該說明書中構成該說明書的一部分。
圖1是示出了根據本發明示例性實施例的顯示面板的平面圖。
圖2是沿著A-A線截取的圖1中示出的顯示面板的剖視圖。
圖3A和圖3B是示出了根據本發明示例性實施例的技術構思的剖視圖。
圖4A是示出了根據本發明示例性實施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。
圖4B是沿著A-A線截取的圖4A中示出的顯示面板的剖視圖。
圖5A是示出了根據本發明示例性實施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。
圖5B是沿著A-A線截取的圖5A中示出的顯示面板的剖視圖。
圖6A是示出了根據本發明示例性實施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。
圖6B是沿著A-A線截取的圖6A中示出的顯示面板的剖視圖。
圖7A是示出了根據本發明示例性實施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。
圖7B是沿著A-A線截取的圖7A中示出的顯示面板的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





