[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710091168.8
• 申請(qǐng)日: 2007-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN101140939A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁采祐;李正浩;李庸羽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 韓明星;李友佳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示面板及其制造方法，更具體地講，涉及一種像素具有增大的開口率的顯示面板和一種制造該顯示面板的方法。

背景技術(shù)

通常，液晶顯示器(LCD)包括：薄膜晶體管基底，具有像素電極和連接到像素電極的開關(guān)薄膜晶體管；共電極基底，具有共電極；液晶層，布置在薄膜晶體管基底和共電極基底之間。

通過(guò)在薄膜晶體管基底和共電極基底之間施加電壓，LCD驅(qū)動(dòng)液晶層內(nèi)的液晶。施加在薄膜晶體管基底和共電極基底之間的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)。由于液晶層內(nèi)的液晶具有各向異性介電常數(shù)，所以當(dāng)電場(chǎng)施加到液晶時(shí)，液晶的取向變化。此外，由于液晶具有各向異性折射率，所以LCD裝置的透光率會(huì)根據(jù)液晶的取向而變化。LCD在兩個(gè)基底之間施加電場(chǎng)，使得液晶具有與作為數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)娘@示信息對(duì)應(yīng)的透光率。因此，液晶的取向根據(jù)施加的電場(chǎng)而變化，從而圖像顯示在LCD上。

在傳統(tǒng)的LCD中，存儲(chǔ)電極布置在像素電極下面，并與像素電極疊置。利用像素電極和存儲(chǔ)電極之間的電容，像素電極的電壓保持一定時(shí)間的時(shí)間段。

為了增大像素電極和存儲(chǔ)電極之間的電容，已經(jīng)增大了存儲(chǔ)電極的尺寸。然而，由于存儲(chǔ)電極可以是金屬材料，會(huì)阻擋光的透射，所以增大存儲(chǔ)電極的尺寸會(huì)使單元像素中的開口率減小。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種顯示面板及一種制造該顯示面板的方法，該顯示面板通過(guò)形成凹陷來(lái)暴露與存儲(chǔ)電極的上表面對(duì)應(yīng)的區(qū)域而具有增大的存儲(chǔ)電極和像素電極之間的電容，并通過(guò)減小存儲(chǔ)電極的大小而具有提高的開口率。

本發(fā)明的其它特征將在隨后的描述中提出，并部分地將從描述中清楚，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管基底，該薄膜晶體管基底包括：薄膜晶體管，布置在基底上，其中，薄膜晶體管包括柵電極、布置在柵電極上的第一絕緣膜、布置在第一絕緣膜上的有源層以及布置在有源層上的源電極和漏電極；存儲(chǔ)電極，布置在基底上；第二絕緣膜，布置在薄膜晶體管上；凹陷，形成在第二絕緣膜中；像素電極，布置在第二絕緣膜和凹陷上，其中，像素電極連接到薄膜晶體管。此外，凹陷的寬度大于存儲(chǔ)電極的寬度。

本發(fā)明還公開了一種包括薄膜晶體管基底的顯示面板。薄膜晶體管基底包括第一基底，所述第一基底包括：薄膜晶體管，布置在第一基底上，其中，薄膜晶體管包括柵電極、布置在柵電極上的第一絕緣膜、布置在第一絕緣膜上的有源層以及布置在有源層上的源電極和漏電極；存儲(chǔ)電極，布置在第一基底上；第二絕緣膜，布置在薄膜晶體管上；凹陷，形成在第二絕緣膜中；像素電極，布置在第二絕緣膜和凹陷上，其中，像素電極連接到薄膜晶體管。此外，凹陷的寬度大于存儲(chǔ)電極的寬度。該顯示面板還包括第二基底以及布置在第一基底和第二基底之間的液晶層，其中第二基底包括對(duì)應(yīng)于像素電極布置的共電極。

本發(fā)明還提供了一種制造薄膜晶體管基底的方法。該方法包括：在基底上形成柵電極和存儲(chǔ)電極；在柵電極和存儲(chǔ)電極上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成有源層；在有源層上形成源電極和漏電極；在基底上形成保護(hù)膜；形成凹陷；在凹陷和保護(hù)膜上形成像素電極。此外，形成凹陷的步驟包括在對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)電極的區(qū)域中去除所述保護(hù)膜的一部分，所述保護(hù)膜的這部分的尺寸大于所述存儲(chǔ)電極的尺寸。

應(yīng)該理解的是，上述大致的描述和下面詳細(xì)的描述都是示例性的和說(shuō)明性的，并意在提供對(duì)如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并和說(shuō)明書一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理，其中，包含的附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并包含在該說(shuō)明書中構(gòu)成該說(shuō)明書的一部分。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的平面圖。

圖2是沿著A-A線截取的圖1中示出的顯示面板的剖視圖。

圖3A和圖3B是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的技術(shù)構(gòu)思的剖視圖。

圖4A是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。

圖4B是沿著A-A線截取的圖4A中示出的顯示面板的剖視圖。

圖5A是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。

圖5B是沿著A-A線截取的圖5A中示出的顯示面板的剖視圖。

圖6A是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。

圖6B是沿著A-A線截取的圖6A中示出的顯示面板的剖視圖。

圖7A是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的制造方法的步驟的平面圖。

圖7B是沿著A-A線截取的圖7A中示出的顯示面板的剖視圖。