[發明專利]顯示面板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710091168.8
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101140939A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 丁采祐;李正浩;李庸羽
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;李友佳

1.一種薄膜晶體管基底，包括：

薄膜晶體管，布置在基底上，其中，所述薄膜晶體管包括柵電極、布置在所述柵電極上的第一絕緣膜、布置在所述第一絕緣膜上的有源層以及布置在所述有源層上的源電極和漏電極；

存儲電極，布置在所述基底上；

第二絕緣膜，布置在所述薄膜晶體管上；

凹陷，形成在所述第二絕緣膜中；

像素電極，布置在所述第二絕緣膜和所述凹陷上，其中，所述像素電極連接到所述薄膜晶體管，

其中，所述凹陷的寬度大于所述存儲電極的寬度。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述存儲電極包含與所述柵電極的材料相同的材料。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述凹陷的寬度是所述存儲電極的寬度的大約101％至大約150％。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基底，還包括在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間的鈍化膜。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管基底，其中，所述凹陷暴露所述鈍化膜。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述凹陷暴露所述第一絕緣膜。

7.一種顯示面板，包括：

第一基底，所述第一基底包括：

薄膜晶體管，布置在所述第一基底上，其中，所述薄膜晶體管包括柵電極、布置在所述柵電極上的第一絕緣膜、布置在所述第一絕緣膜上的有源層以及布置在所述有源層上的源電極和漏電極；

存儲電極，布置在所述第一基底上；

第二絕緣膜，布置在所述薄膜晶體管上；

凹陷，形成在所述第二絕緣膜中；

像素電極，布置在所述第二絕緣膜和所述凹陷上，其中，所述像素電極連接到所述薄膜晶體管，

第二基底，包括共電極，所述共電極對應于所述像素電極布置；

液晶層，布置在所述第一基底和所述第二基底之間，其中，所述凹陷的寬度大于所述存儲電極的寬度。

8.如權利要求7所述的顯示面板，其中，所述存儲電極包含與所述柵電極的材料相同的材料。

9.如權利要求7所述的顯示面板，其中，所述凹陷的寬度是所述存儲電極的寬度的大約101％至大約150％。

10.如權利要求7所述的顯示面板，其中，垂直取向膜設置在所述像素電極和所述共電極上。

11.如權利要求7所述的顯示面板，其中，鈍化膜布置在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間。

12.如權利要求11所述的顯示面板，其中，所述凹陷暴露所述鈍化膜。

13.如權利要求7所述的顯示面板，其中，所述凹陷暴露所述第一絕緣膜。

14.一種制造薄膜晶體管基底的方法，包括：

在基底上形成柵電極和存儲電極；

在所述柵電極和所述存儲電極上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成有源層；

在所述有源層上形成源電極和漏電極；

在所述基底上形成保護膜；

形成凹陷；

在所述凹陷和所述保護膜上形成像素電極，

其中，形成凹陷的步驟包括在對應于所述存儲電極的區域中去除所述保護膜的一部分，所述保護膜的這部分的尺寸大于所述存儲電極的尺寸。

15.如權利要求14所述的方法，其中，形成所述存儲電極的步驟還包括：

在所述基底上形成導電膜；

利用第一掩模通過光蝕刻工藝來形成第一光致抗蝕劑掩模圖案，所述第一掩模具有對應于存儲電極區域的透光區或遮光區；

利用所述第一光致抗蝕劑掩模圖案來去除所述導電膜的一部分，以形成所述存儲電極。

16.如權利要求14所述的方法，其中，形成所述凹陷的步驟還包括：

在所述保護膜上形成光致抗蝕劑；

利用第二掩模通過光蝕刻工藝來形成第二光致抗蝕劑掩模圖案，所述第二掩模具有尺寸比所述第一掩模的所述透光區或遮光區大的透光區或遮光區；

利用所述第二光致抗蝕劑掩模圖案來去除所述保護膜的一部分。