[發(fā)明專利]閃存的二維數(shù)據(jù)寫入方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710090896.7
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101286135A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設計）人: 陳明勝
• 申請（專利權）人: 宇瞻科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.一種閃存的二維數(shù)據(jù)寫入方法，其結構主要包括多個閃存模塊，所述閃存模塊是由多個記憶盤構成，所述閃存模塊分別電連接緩存，所述緩存電連接處理單元，所述寫入方法的步驟包括：

a)設定所述閃存模塊數(shù)組的每個記憶區(qū)間的地址，所述地址順序依每個所述閃存模塊的順序而定，對每個對應所述記憶盤的每個所述對應記憶區(qū)間依序循環(huán)編號；

b)切割待存數(shù)據(jù)為多個不大于一個所述記憶區(qū)間容量的數(shù)據(jù)包；

c)將數(shù)據(jù)包按照各所述記憶區(qū)間的順序寫入。

2.如權利要求1所述的閃存的二維數(shù)據(jù)寫入方法，其特征在于，所述方法是以縱向序列為主，橫向序列為輔的二維寫入方法。

3.如權利要求2所述的閃存的二維數(shù)據(jù)寫入方法，其特征在于，所述縱向序列是由不同的所述閃存模塊所構成。

4.如權利要求2所述的閃存的二維數(shù)據(jù)寫入方法，其特征在于，所述橫向序列是由所述閃存模塊內(nèi)部的不同的所述記憶盤所組成。

5.一種具有二維數(shù)據(jù)寫入方法的裝置，所述裝置的結構包括：

多個閃存模塊，是儲存數(shù)據(jù)的媒體；

控制模塊，與所述多個閃存模塊形成電連接，所述控制模塊進一步包括：

多個緩存，所述緩存分別對應連接各所述閃存模塊；

處理單元，與所述多個緩存形成電連接，用以規(guī)劃及整合各閃存模塊的存取順序及動作；

總線，電連接所述處理單元及多個所述緩存，用以作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)男诺馈?!-- SIPO -->

6.如權利要求5所述具有二維數(shù)據(jù)寫入方法的裝置，其特征在于，所述控制模塊進一步電連接到連接接口。

7.如權利要求6所述具有二維數(shù)據(jù)寫入方法的裝置，其特征在于，所述連接接口電連接所述處理單元。

8.權利要求6所述具有二維數(shù)據(jù)寫入方法的裝置，其特征在于，所述閃存模塊是閃存，并且由多個記憶盤所組成。