[發(fā)明專利]毗連式接觸結(jié)構(gòu)及其形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710090890.X
• 申請(qǐng)日: 2007-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN101060109A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖忠志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1、一種接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包含：

一主動(dòng)區(qū)，該主動(dòng)區(qū)至少包含一井區(qū)，其中該井區(qū)是鄰近于一半導(dǎo)體基材上的一電性隔離區(qū)；

一金氧半場(chǎng)效晶體管裝置，該金氧半場(chǎng)效晶體管裝置至少包含在該主動(dòng)區(qū)上的一源極區(qū)及一漏汲區(qū)；以及

一導(dǎo)體接觸，該導(dǎo)體接觸至少包含一第一部分毗連于該源極區(qū)，以及一第二部分穿過(guò)該電性隔離區(qū)至該井區(qū)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電性隔離區(qū)至少包含一淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)或一絕緣層上覆硅。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二部分是毗連于該第一部分以形成一井帶，且該第二部分延伸的一深度是比該第一部分大實(shí)質(zhì)200埃至實(shí)質(zhì)3000埃。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該主動(dòng)區(qū)至少包含一記憶單元或記憶單元陣列。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該導(dǎo)體接觸在該井區(qū)內(nèi)形成歐姆接觸。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該井區(qū)至少包含一N型井，且該導(dǎo)體接觸是電性連接該N型井及一供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該井區(qū)至少包含一P型井，且該導(dǎo)體接觸是電性連接該P(yáng)型井及一接地電壓節(jié)點(diǎn)。

8、一種接觸結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于至少包含以下步驟：

提供一主動(dòng)區(qū)，該主動(dòng)區(qū)至少包含一井區(qū)，其中該井區(qū)是位于一半導(dǎo)體基材上鄰近于一電性隔離區(qū)；

形成一金氧半場(chǎng)效晶體管裝置，該金氧半場(chǎng)效晶體管裝置至少包含在該主動(dòng)區(qū)上的一源極區(qū)及一漏汲區(qū)；以及

形成一導(dǎo)體接觸，該導(dǎo)體接觸至少包含一第一部分毗連于該源極區(qū)，以及一第二部分穿過(guò)該電性隔離區(qū)至該井區(qū)。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的接觸結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中該電性隔離區(qū)至少包含一淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)或一絕緣層上覆硅。

10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的接觸結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中形成該導(dǎo)體接觸更至少包含：

形成一個(gè)以上介電層于該主動(dòng)區(qū)上；

在該一個(gè)以上介電層上對(duì)一光阻層進(jìn)行微影圖案化，借以后續(xù)蝕刻出一開口以形成該導(dǎo)體接觸；

非等向性蝕刻該第一部分并穿過(guò)該一個(gè)以上介電層；以及

非等向性蝕刻該第二部分并穿過(guò)一部分厚度的該電性隔離區(qū)，

其中該第二部分延伸的一深度是比該第一部分大實(shí)質(zhì)200埃至實(shí)質(zhì)3000埃。