[發明專利]由多個金屬層制成的半導體裝置封裝引線框架有效
| 申請號: | 200710090879.3 | 申請日: | 2007-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN101068005A | 公開(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發明(設計)人: | 詹姆斯·哈恩登;安東尼·謝;王黎明;楊宏波 | 申請(專利權)人: | 捷敏服務公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 王允方;劉國偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 制成 半導體 裝置 封裝 引線 框架 | ||
1.一種制造用于半導體裝置封裝的引線框架的方法,所述方法包括:
提供界定引線框架的第一金屬層;
提供界定引線框架的多個凸起形體的平面第二金屬層;以及
將所述第一金屬層結合至所述平面第二金屬層,
其中對所述平面第二金屬層進行圖案化,以形成所述多個凸起形體作為用于連接封裝內兩個電路小片的跡線,并且其中所述多個凸起形體彼此分離且沒有單個凸起形體與所述封裝內的所述兩個電路小片均相接觸。
2.如權利要求1所述的方法,其中通過超聲波焊接將所述第一金屬層結合至所述平面第二金屬層。
3.如權利要求1所述的方法,其中通過環氧樹脂將所述第一金屬層結合至所述平面第二金屬層。
4.如權利要求1所述的方法,其中通過焊料將所述第一金屬層結合至所述平面第二金屬層。
5.如權利要求1所述的方法,其中對所述平面第二金屬層進行圖案化,以在功率型封裝的電路小片焊墊上形成所述凸起形體,所述功率型封裝選自由以下封裝組成的群組:DPAK、D2PAK、TO-220、TO-247、SOT-223、TSSOP-x、SO-x、SSOP-x、TQFP、SE70-8、TSOP-8以及TSOP12。
6.如權利要求1所述的方法,其中對所述平面第二金屬層進行圖案化,以形成所述凸起形體作為用于將引線緊固在塑料本體中的階梯。
7.如權利要求1所述的方法,其中對所述平面第二金屬層進行圖案化,以形成所述凸起形體作為用于將電路小片觸點連接分布至所述封裝的周緣的跡線。
8.一種用于半導體裝置封裝的引線框架,所述引線框架包括:
第一金屬層,其用于界定引線框架;以及
平面第二金屬層,其結合至所述第一金屬層并界定所述引線框架的多個凸起形體,
其中所述多個凸起形體包括用于連接封裝中的兩個電路小片的導電跡線,并且其中所述多個凸起形體彼此分離且沒有單個凸起形體與所述封裝內的所述兩個電路小片均相接觸。
9.如權利要求8所述的引線框架,其中所述平面第二金屬層焊接至所述第一金屬層。
10.如權利要求8所述的引線框架,其進一步在所述第一與平面第二金屬層之間包括環氧樹脂。
11.如權利要求8所述的引線框架,其進一步在所述第一與平面第二金屬層之間包括焊料。
12.如權利要求8所述的引線框架,其中所述凸起形體包括用于將引線緊固在塑料封裝本體中的階梯。
13.如權利要求8所述的引線框架,其中所述凸起形體包括用于將電路小片觸點分布至封裝周緣的導電跡線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





