[發(fā)明專利]傳送式濕處理裝置及基板處理方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710090864.7 | 申請日: | 2007-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101055831A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李德興;林嘉尉;詹德寶;周頌宜;楊名顯 | 申請(專利權(quán))人: | 統(tǒng)寶光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳送 處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種濕處理裝置,且特別是有關(guān)于一種具有旋轉(zhuǎn)式濕處理單元和傳送式清洗單元的濕處理裝置。
背景技術(shù)
近年來,隨著半導(dǎo)體元件的迅速發(fā)展,各種電子產(chǎn)品也迅速發(fā)展起來。一般而言,半導(dǎo)體元件是由多種處理裝置(如蝕刻機(etcher)、剝離機(stripper)以及顯影機(developer))制造而成。以濕處理(wet-processing)裝置為例,濕處理裝置可分為旋轉(zhuǎn)式(spinner)處理裝置和傳送式(conveyor)裝置。已知的旋轉(zhuǎn)式處理裝置和傳送式裝置被分別描述如下。
圖1繪示為一種已知旋轉(zhuǎn)式處理裝置的示意俯視圖。參照圖1,這種已知旋轉(zhuǎn)式處理裝置100包括:載臺(cassette?station)110;機器手(robot)120及130;傳送單元140a、140b及140c;準(zhǔn)分子紫外線(excimer?ultraviolet,EUV)清洗單元150;以及旋轉(zhuǎn)裝置160。機器手120安裝于載臺110內(nèi)。傳送單元140a連接載臺110與EUV清洗單元150。傳送單元140b連接EUV清洗單元150與機器手130。傳送單元140c連接機器手130與載臺110。旋轉(zhuǎn)裝置160連接到機器手130。此外,機器手130被傳送單元140a、140b及140c、EUV清洗單元150以及旋轉(zhuǎn)裝置160包圍在中間。
如圖1所示,載臺110用來儲存晶片(wafer)或玻璃基板(glass?substrate)170。機器手120用來把儲存于載臺110中的晶片或玻璃基板170傳遞到傳送單元140a。晶片或玻璃基板170被機器手120傳遞到傳送單元140a之后,此晶片或玻璃基板170被傳送到EUV清洗單元150中。在EUV清洗單元150中,通過對晶片或玻璃基板170照射EUV而對其執(zhí)行表面處理以產(chǎn)生臭氧(O3),臭氧可消除晶片或玻璃基板170上的有機物質(zhì)并減少晶片或玻璃基板170的接觸角。當(dāng)預(yù)處理晶片或玻璃基板170之后,此晶片或玻璃基板170被傳送給傳送單元140b。然后,此晶片或玻璃基板170被機器手130分別傳遞給旋轉(zhuǎn)裝置160。在旋轉(zhuǎn)裝置160中,依次對此晶片或玻璃基板170執(zhí)行濕處理、清洗處理、以及旋轉(zhuǎn)式干處理。晶片或玻璃基板170被處理之后,此晶片或玻璃基板170從旋轉(zhuǎn)裝置160被傳遞到傳送單元140c。最后,機器手120把晶片或玻璃基板170從傳送單元140c傳遞到載臺110,使晶片或玻璃基板170可被儲存在此載臺110中。
在旋轉(zhuǎn)式處理裝置100中,旋轉(zhuǎn)裝置160中用于執(zhí)行濕處理的化學(xué)品消耗量較低,且處理均勻度易于控制。但是,在旋轉(zhuǎn)式干處理過程中,高速的旋轉(zhuǎn)使晶片或玻璃基板170可能破裂,且容易導(dǎo)致晶片或玻璃基板170上發(fā)生旋轉(zhuǎn)-不均勻(spin-mura)現(xiàn)象。當(dāng)晶片或玻璃基板170破裂時,晶片或玻璃基板170的碎片不易清除。此外,在旋轉(zhuǎn)式處理裝置100中,落到晶片或玻璃基板170上的粒子不能被有效清除。
圖2是一種已知傳送式處理裝置的示意俯視圖。參照圖2,這種已知傳送式處理裝置200包括載臺210、機器手220、EUV清洗單元230、濕處理單元240、后期清洗系統(tǒng)250、氣刀(air?knife)260、以及干傳送帶270。如圖2所示,后期清洗系統(tǒng)250包括刷洗單元250a、濕傳送帶250b、空穴射流(cavitation?jet)單元250c、以及超聲波(mega-sonic)單元250d。機器手220安裝于載臺210內(nèi)。此外,干傳送帶270連接氣刀260和載臺210。
如圖2所示,機器手220用來把儲存于載臺210中的晶片或玻璃基板170傳遞到EUV清洗單元230。當(dāng)晶片或玻璃基板170被傳遞到EUV清洗單元230之后,此晶片或玻璃基板170依次被傳遞到濕處理單元240、清洗系統(tǒng)250、以及氣刀260。明確地說,在EUV清洗單元230中,通過對晶片或玻璃基板170照射EUV而對其執(zhí)行表面處理以產(chǎn)生臭氧(O3),臭氧可消除晶片或玻璃基板170上的有機物質(zhì)并減少晶片或玻璃基板170的接觸角。晶片或玻璃基板170被預(yù)處理之后,此晶片或玻璃基板170被傳遞到濕處理單元240以執(zhí)行濕化學(xué)處理。然后,晶片或玻璃基板170被依次傳遞到刷洗單元250a、濕傳送帶250b、空穴射流單元250c、以及超聲波單元250d,使此晶片或玻璃基板170上的粒子可被有效清除。然后此晶片或玻璃基板170被傳遞到氣刀260以使此晶片或玻璃基板170可被徹底干燥。最后,機器手220把晶片或玻璃基板170傳遞到載臺210。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





