[發(fā)明專利]制作半導(dǎo)體晶體管元件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710089776.5
• 申請日: 2007-03-26
• 公開（公告）號: CN101276758A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李坤憲;黃正同;丁世汎;鄭禮賢;洪文瀚;鄭子銘;梁佳文
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，包含有：

提供半導(dǎo)體基底；

在該半導(dǎo)體基底上形成柵極介電層；

在該柵極介電層上形成柵極，該柵極具有側(cè)壁及上表面；

在該柵極的該側(cè)壁上形成襯墊層；

在該襯墊層上形成氮化硅間隙壁；

利用該柵極以及該氮化硅間隙壁作為注入掩模，對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行漏極/源極離子注入工藝，由此于該柵極兩側(cè)形成漏極/源極區(qū)域；

去除該氮化硅間隙壁；以及

去除該氮化硅間隙壁之后，在該漏極/源極區(qū)域上形成一硅化金屬層。

2.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中，該方法在進(jìn)行該漏極/源極離子注入工藝之后以及去除該氮化硅間隙壁之前，另包含有以下的步驟：

進(jìn)行蝕刻工藝，去除該漏極/源極區(qū)域表面上的硅氧層。

3.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中，該方法于該漏極/源極區(qū)域上形成該硅化金屬層之后，另包含有以下的步驟：

在該襯墊層以及該硅化金屬層上沉積蓋層，該蓋層與該襯墊層直接接壤，且該蓋層具有特定的應(yīng)力狀態(tài)。

4.?如權(quán)利要求3所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該蓋層的厚度介于30至2000埃之間。

5.?如權(quán)利要求3所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該蓋層在蝕刻接觸孔時作為蝕刻停止層。

6.?如權(quán)利要求3所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，而該蓋層為在拉伸應(yīng)變狀態(tài)。

7.?如權(quán)利要求3所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，而該覆蓋層為在壓縮應(yīng)變狀態(tài)。

8.?如權(quán)利要求3所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該覆蓋層包含有氮化硅。

9.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該襯墊層包含有氧化硅。

10.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該方法還包含有對該漏極/源極區(qū)域進(jìn)行退火的步驟。

11.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該硅化金屬層包含有硅化鎳、硅化鈷、硅化鈦、硅化鉬、硅化鈀及硅化鉑。

12.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該柵極包含有多晶硅以及金屬。

13.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中在該氮化硅間隙壁形成后，還包含有以下步驟：

形成凹陷區(qū)域于該氮化硅間隙壁旁；以及

利用外延硅層回填該凹陷區(qū)域。

14.?如權(quán)利要求13所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，且該外延硅層為碳化硅層。

15.?如權(quán)利要求13所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，且該外延硅層為硅鍺層。

16.?如權(quán)利要求1所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中去除該氮化硅間隙壁利用濕蝕刻法、干蝕刻法或者氣體蝕刻法。

17.?如權(quán)利要求16所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該濕蝕刻法利用熱磷酸溶液。

18.?如權(quán)利要求16所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該干蝕刻法利用混合有氟化氫氣體以及氣態(tài)氧化劑的氣體。

19.?如權(quán)利要求18所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該氣態(tài)氧化劑，包括有硝酸、臭氧、過氧化氫、次氯酸、氯酸、亞硝酸、氧、硫酸、氯或溴。

20.?如權(quán)利要求16所述的制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，其中該氣體蝕刻法利用去水鹵化氫，包括氟化氫或氯化氫氣體。