[發(fā)明專(zhuān)利]導(dǎo)電膜層的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710089769.5 | 申請(qǐng)日: | 2007-03-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101276753A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱羨坤;賴(lài)欽詮;林宜平;楊淑貞 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/28 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/768;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 臺(tái)灣省臺(tái)北*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)電膜層的制造方法,且特別是有關(guān)于一種液晶顯示面板中導(dǎo)電膜層的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá),多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進(jìn)步。就顯示器而言,具有高畫(huà)質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場(chǎng)的主流。具體來(lái)說(shuō),液晶顯示器是由一薄膜電晶體陣列基板、一彩色濾光基板與一夾于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。其中,薄膜電晶體陣列基板主要是由多個(gè)薄膜電晶體及其相關(guān)的周邊電路所構(gòu)成。實(shí)際制作中,薄膜電晶體的柵極、源極、漏極及其周邊電路都是通過(guò)對(duì)金屬材料進(jìn)行圖案化制程而形成。
舉例而言,在薄膜電晶體陣列基板中,薄膜電晶體的柵極(gate)與掃描線(xiàn)(scan?line)是借由同一道圖案化制程而一并形成。在形成柵極與掃描線(xiàn)之前,需先通過(guò)物理氣相沉積法(PVD)在基板上形成金屬層。然后,再對(duì)此金屬層進(jìn)行圖案化制程,以形成所需的柵極與掃描線(xiàn)。由于圖案化制程包括了涂布光刻膠、曝光、顯影與蝕刻等多個(gè)步驟,不僅制作流程繁雜,相關(guān)材料(例如蝕刻液、掩模等)與設(shè)備的使用成本也無(wú)法有效降低。
此外,若要形成多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線(xiàn)則需進(jìn)行多次物理氣相沉積制程以及蝕刻制程,一般常見(jiàn)為鎳/銅的雙層結(jié)構(gòu)。由于物理氣相沉積制程必須通過(guò)昂貴的真空成膜設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn),而蝕刻制程必須能開(kāi)發(fā)出適用的蝕刻液。舉例來(lái)說(shuō),在實(shí)際制作中由于不易找到適合的蝕刻液來(lái)同時(shí)對(duì)銅與鎳進(jìn)行蝕刻,因此蝕刻液的開(kāi)發(fā)成本無(wú)法有效降低。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種導(dǎo)電膜層的制造方法,其可有效降低制造成本并提升制程良率,且導(dǎo)電膜層能具有良好的導(dǎo)電特性。
本發(fā)明提出一種導(dǎo)電膜層的制造方法,適用于薄膜電晶體制程,導(dǎo)線(xiàn)膜層的制造方法包括下列步驟:首先,提供一基板,并在基板上形成一圖案化粘著層。接著,進(jìn)行一化學(xué)鍍制程,并將基板置于一電鍍液中且借由震蕩電鍍液,而使圖案化粘著層上形成一第一金屬層。然后,進(jìn)行一鍍膜制程,以在第一金屬層上形成一第二金屬層。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述化學(xué)鍍制程可以為無(wú)電鍍制程。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述第二金屬層可以為無(wú)電鍍制程或電鍍制程。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述第一金屬層的材料可包括鎳、銅或金。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述第二金屬層的材料可包括銅。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述形成圖案化粘著層的方法包括下列步驟:首先,在基板上形成一材料層。接著,在材料層上形成一圖案化光刻膠層。然后,以圖案化光刻膠層為罩幕對(duì)材料層進(jìn)行圖案化,以形成一圖案化粘著層。之后,對(duì)圖案化光刻膠層與圖案化粘著層進(jìn)行一硬烤制程。此外,移除圖案化光刻膠層。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述硬烤制程的溫度可為攝氏180~220度。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述硬烤制程的溫度為攝氏200度。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述材料層可包括鈀化合物、壓克力共聚物與電子級(jí)丙二醇甲醚醋酸脂。
在本發(fā)明的導(dǎo)電膜層的制造方法中,上述移除圖案化光刻膠層的方法可包括干式去光刻膠。
本發(fā)明導(dǎo)電膜層的制造方法因采用電鍍制程,可以有效減少蝕刻制程的進(jìn)行,因而可節(jié)省制造成本。由于本發(fā)明導(dǎo)電膜層的制造方法是采用震蕩電鍍液的方式,以使制造過(guò)程中氣泡不易附著于基板上,因此電鍍液中無(wú)須加入抑制氣泡的添加物,進(jìn)而可使導(dǎo)電膜層能有較低的阻值。此外,本發(fā)明導(dǎo)電膜層的制造方法能有效提升制造良率。
附圖說(shuō)明
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明,其中:
圖1A~圖1C是本發(fā)明導(dǎo)電膜層的制造方法的流程剖面示意圖。
圖2A~圖2E是本發(fā)明圖案化粘著層的制造方法的流程剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1A~圖1C是本發(fā)明導(dǎo)電膜層的制造方法的流程剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A,首先,提供一基板110,并在基板110上形成一圖案化粘著層(patternedadhesion?layer)120。當(dāng)然,所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)知圖1A中所示的圖案化粘著層120的圖案可視實(shí)際需要而作適當(dāng)調(diào)整,在此僅用以說(shuō)明并無(wú)意局限。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中華映管股份有限公司,未經(jīng)中華映管股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710089769.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線(xiàn)程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





