[發明專利]導電膜層的制造方法無效
| 申請號: | 200710089769.5 | 申請日: | 2007-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101276753A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 邱羨坤;賴欽詮;林宜平;楊淑貞 | 申請(專利權)人: | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/768;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 臺灣省臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 制造 方法 | ||
1.?一種導電膜層的制造方法,適用于薄膜電晶體制程,其特征在于,該導線膜層的制造方法包括:
提供一基板;
在該基板上形成一圖案化粘著層;
進行一化學鍍制程,并將該基板置于一電鍍液中,而使該圖案化粘著層上形成一第一金屬層;以及
進行一鍍膜制程,以在該第一金屬層上形成一第二金屬層。
2.?如權利要求1所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述化學鍍制程為無電鍍制程。
3.?如權利要求1所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述鍍膜制程為無電鍍制程或電鍍制程。
4.?如權利要求1所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述第一金屬層的材料包括鎳、銅或金。
5.?如權利要求1所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述第二金屬層的材料包括銅。
6.?如權利要求1所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,形成所述圖案化粘著層的步驟包括:
在所述基板上形成一材料層;
在所述材料層上形成一圖案化光刻膠層;
以所述圖案化光刻膠層為罩幕對所述材料層進行圖案化,以形成一圖案化粘著層;
對所述圖案化光刻膠層與所述圖案化粘著層進行一硬烤制程;以及
移除所述圖案化光刻膠層。
7.?如權利要求6所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述硬烤制程的溫度介于攝氏180~220度之間。
8.?如權利要求7所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述硬烤制程的溫度為攝氏200度。
9.?如權利要求6所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,所述材料層包括鈀化合物、壓克力共聚物與電子級丙二醇甲醚醋酸脂。
10.?如權利要求6所述的導電膜層的制造方法,其特征在于,移除所述圖案化光刻膠層的方法包括干式去光刻膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





