[發(fā)明專利]薄膜晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710089749.8 | 申請(qǐng)日： | 2007-03-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101271923A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴欽詮;吳泉毅;蔡依蕓 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/786 | 分類號(hào)： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 臺(tái)灣省臺(tái)北*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 | ||
1.?一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
一基板；
一柵極，配置于所述基板上；
一柵絕緣層，配置于所述基板上，并覆蓋所述柵極；
一半導(dǎo)體層，配置于所述柵絕緣層上，并位于所述柵極上方，而所述半導(dǎo)體層包括：
一未摻雜非晶硅層；
一第一未摻雜微晶硅層，配置于所述未摻雜非晶硅層上；
一歐姆接觸層，配置于部分所述半導(dǎo)體層上；以及
一源極與一漏極，配置于所述歐姆接觸層上。
2.?如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一未摻雜微晶硅層的厚度是介于20-90納米之間。
3.?如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一未摻雜微晶硅層的厚度是介于30-80納米之間。
4.?如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一未摻雜微晶硅層的厚度是介于40-70納米之間。
5.?如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層還包括一第二未摻雜微晶硅層，配置于所述未摻雜非晶硅層與所述柵絕緣層之間。
6.?如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二未摻雜微晶硅層的厚度是介于5-70納米之間。
7.?如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二未摻雜微晶硅層的厚度是介于5-50納米之間。
8.?如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二未摻雜微晶硅層的厚度是介于10-40納米之間。
9.?如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述歐姆接觸層的材質(zhì)包括摻雜非晶硅或摻雜微晶硅。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
