[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備及其清潔單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710089591.4
• 申請(qǐng)日: 2007-04-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101067998A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林建坊;呂仁智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/67;B08B5/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種清潔單元，特別是有關(guān)于一種用于清潔半導(dǎo)體設(shè)備的流體供應(yīng)單元的清潔單元。

背景技術(shù)

圖1a是顯示已知的半導(dǎo)體設(shè)備1，包括一旋轉(zhuǎn)盤13、一管路17以及一噴嘴16。該噴嘴16連接該管路17。一晶圓W置于該旋轉(zhuǎn)盤13之上，且該噴嘴16以及該管路17對(duì)該晶圓W提供一化學(xué)流體。參照?qǐng)D1b，當(dāng)該化學(xué)流體18施加于該晶圓W之上時(shí)，該旋轉(zhuǎn)盤13旋轉(zhuǎn)該晶圓W，該晶圓W表面的化學(xué)流體18受到離心力而飛濺。飛濺的化學(xué)流體18附著于該管路17的表面。參照?qǐng)D1c，隨著該化學(xué)流體18在該管路17的表面累積，該化學(xué)流體(污染物)18會(huì)滴在晶圓W之上。且由于累積于管路17表面的化學(xué)流體18一般會(huì)老化變質(zhì)或是含有微粒，因此當(dāng)該化學(xué)流體18從管路17的表面滴在晶圓W之上時(shí)，會(huì)污染該晶圓W。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明即為了欲解決已知技術(shù)的問(wèn)題而提供的一種半導(dǎo)體設(shè)備，用以處理一晶圓，包括一平臺(tái)、一流體供應(yīng)單元以及一清潔單元。平臺(tái)支撐該晶圓。流體供應(yīng)單元提供一第一流體，其中，該流體供應(yīng)單元可以于一第一位置以及一第二位置之間移動(dòng)。清潔單元提供一清潔氣體。其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第一位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元朝該晶圓提供該第一流體，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該清潔單元朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送該清潔氣體，以清潔該流體供應(yīng)單元的表面。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元包括一腔體，一進(jìn)氣口以及一排氣口，該進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該清潔氣體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以清潔該流體供應(yīng)單元表面，該清潔氣體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元更包括一負(fù)壓管路，連接該排氣口。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該腔體包括一入口，該流體供應(yīng)單元通過(guò)該入口而于該第一位置以及該第二位置之間移動(dòng)。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排氣口設(shè)于該腔體的上部。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排液口設(shè)于該腔體的底部。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排液口為長(zhǎng)條形。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該腔體包括一防靜電材料。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元包括一腔體，多個(gè)進(jìn)氣口以及一排氣口，所述進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該清潔氣體從所述進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該清潔氣體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，所述進(jìn)氣口是以矩陣的形式排列于該腔體的底部。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該半導(dǎo)體設(shè)備清潔該晶圓。

本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該半導(dǎo)體設(shè)備在該晶圓上涂布一光致抗蝕劑層。

本發(fā)明另提供一種清潔單元，用以清潔一半導(dǎo)體設(shè)備的一流體供應(yīng)單元，該清潔單元包括：一腔體；至少一進(jìn)氣口，設(shè)于該腔體之中；以及一排氣口，設(shè)于該腔體之中，其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于一第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，一清潔氣體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該清潔氣體并從該排氣口排出該腔體。

本發(fā)明所述的清潔單元，其中，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污染物是經(jīng)過(guò)該排液口以及該排液管排出于腔體。

本發(fā)明周期性的從該流體供應(yīng)單元的表面移除污染物，借此，可避免晶圓遭受污染，提高產(chǎn)品的良率。

附圖說(shuō)明

圖1a是顯示已知的半導(dǎo)體設(shè)備；

圖1b是顯示污染物累積于已知半導(dǎo)體設(shè)備的表面的情形；

圖1c是顯示污染物污染晶圓的情形；

圖2a是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中一第一管路、一第二管路以及一第三管路位于一第一位置；

圖2b是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中第一管路、第二管路以及第三管路位于一第二位置；

圖2c是顯示一清潔單元清潔該第一管路、第二管路以及第三管路；

圖3是顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例；

圖4是顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例；

圖5是顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例；

圖6a是顯示本發(fā)明的第五實(shí)施例，其中一第四管路位于一第一位置；