[發明專利]半導體設備及其清潔單元有效
| 申請號: | 200710089591.4 | 申請日: | 2007-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN101067998A | 公開(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發明(設計)人: | 林建坊;呂仁智 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;B08B5/02 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 及其 清潔 單元 | ||
1.一種半導體設備,其特征在于,用以處理一晶圓,該半導體設備包括:
一平臺,支撐該晶圓;
一流體供應單元,提供一第一流體,其中,該流體供應單元可以于一第一位置以及一第二位置之間移動;以及
一清潔單元,提供一清潔氣體,
其中,當該流體供應單元位于該第一位置時,該流體供應單元朝該晶圓提供該第一流體,當該流體供應單元位于該第二位置時,該清潔單元朝該流體供應單元的表面吹送該清潔氣體,以清潔該流體供應單元的表面。
2.根據權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,該清潔單元包括一腔體,一進氣口以及一排氣口,該進氣口以及該排氣口均設于該腔體之中,當該流體供應單元位于該第二位置時,該流體供應單元位于該腔體之中,該清潔氣體從該進氣口朝該流體供應單元的表面吹送,以清潔該流體供應單元表面,該清潔氣體并從該排氣口離開該腔體。
3.根據權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,該清潔單元更包括一負壓管路,連接該排氣口。
4.根據權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,該腔體包括一入口,該流體供應單元通過該入口而于該第一位置以及該第二位置之間移動。
5.根據權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,該排氣口設于該腔體的上部。
6.根據權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,該清潔單元更包括一排液口以及一排液管,該排液口設于該腔體之中,該排液管連通該排液口。
7.根據權利要求6所述的半導體設備,其特征在于,該排液口設于該腔體的底部。
8.根據權利要求6所述的半導體設備,其特征在于,該排液口為長條形。
9.根據權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,該腔體包括一防靜電材料。
10.根據權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,該清潔單元包括一腔體,多個進氣口以及一排氣口,所述進氣口以及該排氣口均設于該腔體之中,當該流體供應單元位于該第二位置時,該流體供應單元位于該腔體之中,該清潔氣體從所述進氣口朝該流體供應單元的表面吹送,以移除該流體供應單元表面的污染物,該清潔氣體并從該排氣口離開該腔體。
11.根據權利要求10所述的半導體設備,其特征在于,所述進氣口是以矩陣的形式排列于該腔體的底部。
12.根據權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,該半導體設備清潔該晶圓。
13.根據權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,該半導體設備在該晶圓上涂布一光致抗蝕劑層。
14.一種清潔單元,其特征在于,用以清潔一半導體設備的一流體供應單元,該清潔單元包括:
一腔體;
至少一進氣口,設于該腔體之中;以及
一排氣口,設于該腔體之中,其中,當該流體供應單元位于一第二位置時,該流體供應單元位于該腔體之中,一清潔氣體從該進氣口朝該流體供應單元的表面吹送,以移除該流體供應單元表面的污染物,該清潔氣體并從該排氣口排出該腔體。
15.根據權利要求14所述的清潔單元,其特征在于,該清潔單元更包括一排液口以及一排液管,該排液口設于該腔體之中,該排液管連通該排液口,該腔體中的污染物是經過該排液口以及該排液管排出于腔體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





