[發(fā)明專利]一種包含光罩的裝置以及制造該光罩的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710088298.6
• 申請日: 2007-03-22
• 公開（公告）號: CN101131535A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 林錦鴻;胡清旺;何銘濤
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14;G03F1/08
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于半導體制程技術(shù)，特別是有關(guān)于一種可以減少光霧形成的包含光罩的裝置以及制造光罩的方法。

背景技術(shù)

在半導體制程中，光罩一般用于光微影制程中。光罩基本上由非常平的石英或玻璃片材制成，在其一表面沉積一層鉻。圖樣化的鉻層在光微影制程時可用于轉(zhuǎn)移一影像至晶圓上。然而，光罩的污染一直是重要的課題，尤其是高精密度的光罩，如用于具有波長等于或小于248nm的光微影技術(shù)中者，特別容易受到破壞。

光罩污染的其中一種稱之為光霧污染。光霧污染為在制造、檢視及微影過程中形成的沉淀物。通言之，化學污染物在光罩制造過程中留在光罩的圖樣表面。當化學殘余物曝光(紫外光)時，化學殘余物升華。然而，在光罩曝光之后，殘余物層沉積遍及于光罩圖樣表面。此殘余物層或光霧通常緩慢堆積，但是仍然在數(shù)次曝光后需要清潔光罩。在一特定光罩的使用期限間，該特定光罩通常是重復使用，所以將進行多次清潔。此重復的清潔會影響光罩的耐久性與性能參數(shù)(如相角度及穿透性)。一種改善的方案為形成一氧化物層在光罩的圖樣表面。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)該氧化物層，其在清潔光罩前藉由將光罩曝露于紫外光(UV)而產(chǎn)生，可以促進但微少的光罩耐久性。

氧化層的形成需要嚴格控制參數(shù)(如曝光時間、反應溫度、及壓力)，藉以獲得均勻膜層。再者，盡管形成氧化物層，光罩的相角度及穿透性在接著為數(shù)不多的清潔后仍然會改變。再者，氧化物層的穿透性不同于光罩的穿透性。在一充分次數(shù)的清潔之后，光罩的相角度及穿透性可能超出可接受的容忍度之外，使得該光罩無法繼續(xù)使用。

因此，光罩需要一種可以減少光霧形成的方法及裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種新的制造光罩的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以減少光霧的形成，非常適于實用。

本發(fā)明的另一目的在于，提供一種包含光罩的裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其可以減少光霧的形成，非常適于實用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造光罩的方法，其包含以下步驟：提供一光罩基材，該光罩基材包含第一材質(zhì)；圖樣化該光罩基材以形成一圖樣表面；以及在該圖樣表面形成一阻障層，該阻障層包含第一材料。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。

前述的制造光罩的方法，其中所述的阻障層的形成步驟包含在制造光罩期間，在該光罩基材的該圖樣表面形成密封化學殘余物。

前述的制造光罩的方法，其中所述的阻障層的形成包含在該圖樣表面形成一二氧化硅層。

前述的制造光罩的方法，其進一步包含形成該光罩基材以包含氮氧化硅鉬(MoSiOxNy)。

前述的制造光罩的方法，其進一步包含形成該阻障層以具有300至800厚度。

前述的制造光罩的方法，其中所述的形成該阻障層的步驟包含在該圖樣表面旋轉(zhuǎn)涂覆該阻障層。

前述的制造光罩的方法，其中所述的圖樣化的步驟包含在該光罩基材上沉積一不透明層或一半透明層，并蝕刻該不透明層或該半透明層。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種包含光罩的裝置，其包含：一透明層；一圖樣層，形成在透明層上；以及一光霧減少層，形成在圖樣層上。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的光霧減少層包含二氧化硅。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的光霧減少層具有約500厚度。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的光霧減少層為為透明的，且旋轉(zhuǎn)涂覆在該圖樣層上。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的圖樣層為不透明的或半透明的。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的圖樣層由鉻或氮氧化硅鉬形成。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的光罩為相位移光罩(PSM)。

前述的包含光罩的裝置，其中所述的透明層及該光霧減少層密封地包覆該圖樣層，且該透明層及該光霧減少層各包含二氧化硅或石英。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下：

本發(fā)明揭露一種制造光罩的方法，該方法包含提供一光罩基材，該光罩基材包含第一材質(zhì)；圖樣化該光罩基材以形成一圖樣表面；以及在圖樣表面形成一阻障層，該阻障層包含第一材料。該阻障層的形成包含在制造光罩期間，在光罩基材圖樣表面形成密封化學殘余物。阻障層的形成包含在圖樣表面形成一二氧化硅層。