[發明專利]一種包含光罩的裝置以及制造該光罩的方法無效
| 申請號： | 200710088298.6 | 申請日： | 2007-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN101131535A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 林錦鴻;胡清旺;何銘濤 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F1/14;G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 包含 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種制造光罩的方法，其特征在于其包含以下步驟：
提供一光罩基材，該光罩基材包含第一材質；
圖樣化該光罩基材以形成一圖樣表面；以及
在該圖樣表面形成一阻障層，該阻障層包含第一材料。
2.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其中所述的阻障層的形成步驟包含在制造光罩期間，在該光罩基材的該圖樣表面形成密封化學殘余物。
3.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其中所述的阻障層的形成包含在該圖樣表面形成一二氧化硅層。
4.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其進一步包含形成該光罩基材以包含氮氧化硅鉬。
5.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其進一步包含形成該阻障層以具有300至800厚度。
6.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其中所述的形成該阻障層的步驟包含在該圖樣表面旋轉涂覆該阻障層。
7.根據權利要求1所述的制造光罩的方法，其特征在于其中所述的圖樣化的步驟包含在該光罩基材上沉積一不透明層或一半透明層，并蝕刻該不透明層或該半透明層。
8.一種包含光罩的裝置，其特征在于其包含：
一透明層；
一圖樣層，形成在透明層上；以及
一光霧減少層，形成在圖樣層上。
9.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的光霧減少層包含二氧化硅。
10.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的光霧減少層具有約500厚度。
11.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的光霧減少層為為透明的，且旋轉涂覆在該圖樣層上。
12.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的圖樣層為不透明的或半透明的。
13.根據權利要求12所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的圖樣層由鉻或氮氧化硅鉬形成。
14.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的光罩為相位移光罩。
15.根據權利要求8所述的包含光罩的裝置，其特征在于其中所述的透明層及該光霧減少層密封地包覆該圖樣層，且該透明層及該光霧減少層各包含二氧化硅或石英。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710088298.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
