[發明專利]芯片封裝結構及其制作方法無效
| 申請號: | 200710087671.6 | 申請日: | 2007-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN101266932A | 公開(公告)日: | 2008-09-17 |
| 發明(設計)人: | 喬永超;邱介宏;吳燕毅 | 申請(專利權)人: | 百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 百慕大*** | 國省代碼: | 百慕大群島;BM |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.?一種芯片封裝結構的制作方法,包括:
提供一金屬薄板,具有一上表面以及一下表面,其中該金屬薄膜的該上表面具有一第一凸起部、一第二凸起部以及多個第三凸起部,該第二凸起部是位于該第一凸起部與該些第三凸起部之間,且該第一凸起部、該第二凸起部以及該些第三凸起部是彼此相連;
提供一芯片,該芯片具有一主動面、一背面與多個芯片焊墊,其中該些芯片焊墊配置于該主動面上;
將該芯片的該背面固著于該第一凸起部上;
形成多條第一焊線以及多條第二焊線,其中該些第一焊線是分別連接該些芯片焊墊與該些第二凸起部,而該些第二焊線是分別連接該些第二凸起部與該些第三凸起部;
形成一上膠體以及一下膠體,其中該上膠體是包覆住該金屬薄板的該上表面、該芯片以及該些第一焊線與該些第二焊線,該下膠體是包覆住該金屬薄板的該下表面,且暴露出該第一凸起部、該第二凸起部與該些第三凸起部彼此之間相連的部分;以及
以該下膠體為一蝕刻掩膜蝕刻該金屬薄板,直到該第一凸起部、該第二凸起部與該些第三凸起部彼此電性絕緣,如此,該第一凸起部即形成一芯片座、該第二凸起部即形成一匯流架,且該些第三凸起部即形成多個引腳。
2.?如權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,該金屬薄板為一銅箔。
3.?如權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,該些第一焊線與該些第二焊線是由打線接合技術形成。
4.?如權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,該下膠體包括多個凹部,以暴露出該第一凸起部、該第二凸起部與該些第三凸起部彼此之間相連的部分。
5.?如權利要求4所述的芯片封裝結構的制造方法,其特征在于,還包括形成一膠體于該下膠體的該些凹部內。
6.?一種芯片封裝結構,包括:
一芯片,具有一主動面、一背面與多個芯片焊墊,其中該些芯片焊墊配置于該主動面上;
一導線架,具有一上表面以及與其相對應的一下表面,該導線架包括:
一芯片座,該芯片的該背面是固著于該芯片座上;
多個引腳,環繞該芯片座;以及
至少一匯流架,位于該芯片座與該些引腳之間;
多條第一焊線,分別連接該些芯片焊墊與該匯流架;
多條第二焊線,分別連接該匯流架與該些引腳;
一上膠體,包覆住該導線架的該上表面、該芯片以及該些第一焊線與該些第二焊線;以及
一第一下膠體,包覆住該導線架的該下表面,其中該第一下膠體具有多個凹部,以暴露出對應于該芯片座與該匯流架之間的該上膠體、對應于該匯流架及該些引腳之間的該上膠體,以及對應于相鄰的二該引腳之間的該上膠體。
7.?如權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,還包括一第二下膠體,形成于該第一下膠體的該些凹部內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





