[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710087277.2
• 申請(qǐng)日: 2007-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101271940A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許晉源;張嘉顯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國(guó);梁揮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制作方法，特別是一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制作方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管由于具有省電、低驅(qū)動(dòng)電壓、壽命長(zhǎng)以及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，因而普遍應(yīng)用于各種照明設(shè)備以及液晶顯示器的背光源上，并成為目前非常重要的發(fā)光裝置之一。

目前所使用的發(fā)光二極管的封裝方法，多為在發(fā)光組件上覆蓋樹(shù)脂，以保護(hù)發(fā)光組件。該樹(shù)脂的折射率大多小于1.5，而該發(fā)光組件的折射率約介于2.5與4.0之間，兩者的折射率存在著相當(dāng)大的差距。當(dāng)發(fā)光組件與樹(shù)脂間的折射率差距過(guò)大時(shí)，將導(dǎo)致發(fā)光組件內(nèi)的全反射角過(guò)小，從而使發(fā)光組件所發(fā)出的光容易在發(fā)光組件內(nèi)發(fā)生全反射，而不容易發(fā)射到發(fā)光組件外。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種提高發(fā)光組件內(nèi)全反射角的半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制作方法。

本發(fā)明一實(shí)施例中，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置至少包含發(fā)光組件、透明膠材以及透明薄膜。該發(fā)光組件位于一封裝承載座中，該透明膠材覆蓋該發(fā)光組件。該透明薄膜位于該發(fā)光組件與該透明膠材之間，且該透明薄膜的折射率介于該發(fā)光組件與該透明膠材的折射率之間。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法。該制作方法包含如下步驟：首先，形成發(fā)光組件于封裝承載座中。而后，在該發(fā)光組件的表面形成一層透明薄膜。最后，填充透明膠材至該封裝承載座中，以覆蓋該發(fā)光組件。其中，該透明薄膜的折射率介于該發(fā)光組件與該透明膠材的折射率之間。

本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，通過(guò)形成該透明薄膜，以增加發(fā)光組件內(nèi)的全反射角的角度，從而改善發(fā)光組件內(nèi)發(fā)生全反射的情形，進(jìn)而讓更多的光從發(fā)光組件發(fā)射出去。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面構(gòu)造示意圖。

其中，附圖標(biāo)記：

100-半導(dǎo)體發(fā)光裝置

102-封裝承載座

110-發(fā)光組件

112-基材

114-N型半導(dǎo)體組件

116-P型半導(dǎo)體組件

118-電極

120-透明薄膜

130-散熱裝置

140-導(dǎo)線

142-外部電路

160-透明膠材

170-熒光材料

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面構(gòu)造示意圖。在圖1中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置100至少包含有發(fā)光組件110、透明膠材160以及透明薄膜120。該發(fā)光組件110位于一封裝承載座102中。該透明膠材160充填于該封裝承載座102中，且覆蓋該發(fā)光組件110。該透明薄膜120位于該發(fā)光組件110與該透明膠材160之間，且其折射率介于該發(fā)光組件110與該透明膠材160的折射率之間。

該發(fā)光組件110可包含基材112、N型半導(dǎo)體組件114、P型半導(dǎo)體組件116以及電極118。該基材112的材料可為如藍(lán)寶石(sapphire)。該N型半導(dǎo)體組件114以及該P(yáng)型半導(dǎo)體組件116的主要材料可為如氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、砷化鎵、磷化鎵、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、硒化鋅(ZnSe)或碳化硅(SiC)，其折射率約為2.5～4.0。該N型半導(dǎo)體組件114與該P(yáng)型半導(dǎo)體組件116的位置可互換，兩者之間還可以包含多重量子阱(multiple?quantum?well；MQW)材料層(未示出)，其材料可為如Ga_xIn_1-xN、Al_xGa_1-xN或(Al_yGa_1-y)_xIn_1-xP。該電極118位于該N型半導(dǎo)體組件114與該P(yáng)型半導(dǎo)體組件116的表面，并通過(guò)導(dǎo)線140連接外部電路142。該外部電路142可具有一電源與一電源開(kāi)關(guān)控制器，電源可提供該發(fā)光組件110電流以進(jìn)行發(fā)光。該發(fā)光組件110僅用于示例，本發(fā)明中并不對(duì)該發(fā)光組件110的構(gòu)造做任何限制。