[發(fā)明專利]半導體發(fā)光裝置及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710087277.2
• 申請日: 2007-03-21
• 公開（公告）號: CN101271940A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 許晉源;張嘉顯
• 申請（專利權）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.?一種半導體發(fā)光裝置，其特征在于，至少包含：

一發(fā)光組件，位于一封裝承載座中；

一透明膠材，覆蓋該發(fā)光組件；

至少一透明薄膜，位于該發(fā)光組件與該透明膠材之間，且該透明薄膜的折射率介于該發(fā)光組件與該透明膠材的折射率之間。

2.?如權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，該至少一透明薄膜選自由鉆石膜、類鉆石膜、氮化鋁膜、氮化硼膜及前述的組合所構成的族群。

3.?如權利要求2所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，由該鉆石膜或/和該類鉆石膜所構成的該至少一透明薄膜的總厚度約為500～10000埃，以使該發(fā)光組件所發(fā)出的光線穿透該至少一透明薄膜。

4.?如權利要求2所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，該類鉆石膜的折射率約為1.7～2.4。

5.?如權利要求2所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，由該氮化鋁膜和/或氮化硼膜所構成的該至少一透明薄膜的總厚度約為50～10000nm，以使該發(fā)光組件所發(fā)出的光線穿透該至少一透明薄膜。

6.?如申權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光組件包含：

一基材；

一N型半導體組件，位于該基材上；

一P型半導體組件，位于該N型半導體組件上；

多個電極，位于該N型半導體組件與該P型半導體組件的表面。

7.?如權利要求6所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，該N型半導體組件與該P型半導體組件的主要材料選自由氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、砷化鎵、磷化鎵、砷化鋁鎵、磷化鋁鎵銦、硒化鋅及碳化硅所構成的族群。

8.?如權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于，還包含至少一散熱裝置，以降低使用過程中該發(fā)光組件的溫度。

9.?一種半導體發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，包含步驟：

形成一發(fā)光組件于一封裝承載座中，其中該發(fā)光組件具有一第一折射率；

形成至少一透明薄膜于該發(fā)光組件的表面，且該透明薄膜具有一第二折射率；

填充具有一第三折射率的一透明膠材至該封裝承載座中，以覆蓋該發(fā)光組件，其中該第二折射率介于該第一折射率與該第三折射率之間。

10.?如權利要求9所述的半導體發(fā)光裝置的制作方法，其特征在于，該至少一透明薄膜的形成方法為濺射法、蒸發(fā)法或離子增長型化學汽相沉積法。